[发明专利]一种可调节的方波信号发生电路以及应用其的开关型调节器

权利要求书

1.一种可调节的方波信号发生电路，用以根据接收到的一固定方波信号和一变化的控制信号，来产生一可调节的方波信号，其特征在于，包括第一反相器和宽度调节电路，其中，

所述第一反相器的第一输入端用以接收所述固定方波信号，并在输出端输出所述可调节的方波信号；所述宽度调节电路与所述第一反相器相连接，用以接收所述变化的控制信号，以调节所述可调节的方波信号的宽度。

2.根据权利要求1所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述宽度调节电路连接至所述第一反相器的第二端，用以对所述可调节的方波信号的上升沿时间进行调节。

3.根据权利要求1所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述宽度调节电路连接至所述第一反相器的第三端，用以对所述可调节的方波信号的下降沿时间进行调节。

4.根据权利要求1所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述方波信号发生电路进一步包括第二反相器，所述第二反相器的第一输入端与所述第一反相器的输出端相连接，用以对所述第一反相器输出的可调节的方波信号进行调整。

5.根据权利要求1所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述方波信号发生电路进一步包括第三反相器，所述第三反相器的第一输入端接收所述固定的方波信号，用以获得与所述固定的方波信号互补的第二方波信号，其输出端连接至所述第一反相器的输入端。

6.根据权利要求5所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述方波信号发生电路进一步包括与所述第一反相器的输出端依次串联连接的第四反相器和第五反相器，用以对产生的可调节的方波信号进行调整。

7.根据权利要求1所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述宽度调节电路进一步包括一可控电流源，其接收所述变化的控制信号，并据以产生一变化的电流信号。

8.根据权利要求7所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述宽度调节电路进一步包括一充放电电路，其接收所述变化的电流信号，以进行充电或者放电操作。

9.根据权利要求8所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述充放电电路包括一电容，其第一端连接至所述第一反相器的输出端，第二端连接至地。

10.根据权利要求9所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述可控电流源连接至所述第一反相器的第二端和一输入电压源之间，用以控制流过所述第一反相器的电流，所述第一反相器的第二端接收一输入电压源；所述充放电电路与所述第一反相器的输出端连接；

当所述固定方波信号由有效状态转为无效状态时，利用接收到的所述变化的电流进行充电；所述变化的电流控制所述充放电电路的充电时间来控制所述可调节的方波信号的上升沿时间，从而实现了对可调节的方波信号的宽度的调节；并且保证所述可调节的方波信号的下降沿与所述固定方波信号的上升沿保持一致。

11.根据权利要求10所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述变化的控制信号为一电压控制信号，所述可控电流源包括第一MOSFET晶体管，其控制端接收所述电压控制信号，其第一功率端连接至所述输入电压源，第二功率端连接至所述第一反相器的第二端。

12.根据权利要求10所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述变化的控制信号为一电流控制信号，所述可控电流源包括第二MOSFET晶体管和第三MOSFET晶体管组成的电流镜电路，所述第二MOSFET晶体管和第三MOSFET晶体管的控制端相连接，第二功率端相连接并连接至所述第一反相器的第二端；所述第一MOSFET晶体管的控制端与其第一功率端连接，并接收所述变化的控制信号；所述第二MOSFET晶体管的第一功率端连接至所述输入电压源。

13.根据权利要求10所述的方波信号发生电路，其特征在于，所述宽度调节电路进一步包括一限流电路，所述限流电路连接至所述可控电流源和所述输入入电压源之间，用以限制所述可控电流源的最大电流。