[发明专利]一种氧化钨基电阻型存储器的制备方法

权利要求书

1.一种氧化钨基电阻型存储器的制备方法，所述氧化钨基电阻型存储器通过对互连后端结构的钨栓塞氧化形成，所述钨栓塞包括存储阵列部分的钨栓塞和逻辑部分的钨栓塞，该制备方法包括以下步骤：

提供互连后端结构中钨栓塞暴露的结构；

对所有暴露的钨栓塞氧化以形成氧化钨基阻变存储介质层；

沉积上电极材料层以覆盖所述氧化钨基阻变存储介质层；以及

构图刻蚀所述上电极材料层以在所述存储阵列部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质层之上形成上电极；

其特征在于，在所述刻蚀步骤中，设置所述上电极材料层的刻蚀工艺条件以使所述逻辑部分的钨栓塞上的氧化钨基阻变存储介质在所述刻蚀步骤的过刻蚀过程中去除。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀工艺条件下，刻蚀所述上电极材料的气体同时刻蚀所述氧化钨基阻变存储介质层。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述上电极为铝、铝铜合金、氮化钛、钛、铪、钴、锆或者Ti/TiN复合层。

4.如权利要求1或2或3所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀工艺采用干法刻蚀，刻蚀气体是Cl₂、BCl₃、CCl₄或SiCl₄。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钨栓塞用作所述氧化钨基电阻型存储器的下电极。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化钨基阻变存储介质层为WO_x，其中1＜x≤3。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化钨基阻变存储介质层是先对下电极钨硅化后再氧化形成。

8.如权利要求1或7所述的制备方法，其特征在于，所述氧化方法为含氧气氛中氧化、通过氧等离子体氧化、或者通过离子注入方法氧化。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述硅化方法是通过含硅气体中硅化、硅等离子体中硅化或硅的离子注入方法完成。

10.根据权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，所述氧化钨基阻变存储介质层的厚度范围为1纳米至20纳米。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钨栓塞为铝互连或铜互连后端结构中的钨栓塞。

12.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述过刻蚀的时间范围为30秒至10分钟。