[发明专利]用于电子束的磁控制的设备和方法有效
申请号: | 201110221688.2 | 申请日: | 2011-07-28 |
公开(公告)号: | CN102347188A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | A·凯亚法;M·H·托多罗维克;J·L·雷诺 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01J35/30 | 分类号: | H01J35/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯广华;朱海煜 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子束 控制 设备 方法 | ||
1.一种用于x射线产生系统的电子束操纵线圈(62)的控制电路(68),包括:
第一低压源(74);
第二低压源(76);
第一开关装置(90),所述第一开关装置(90)与所述第一低压源(74)串联耦合,并且配置成在处于闭合位置时与所述第一低压源(74)创建第一电流通路(92);
第二开关装置(94),所述第二开关装置(94)与所述第二低压源(76)串联耦合,并且配置成在处于闭合位置时与所述第二低压源(76)创建第二电流通路(96);以及
电容器(86),所述电容器(86)与电子束操纵线圈(62)并联耦合,并且沿所述第一电流通路和第二电流通路(92,96)定位。
2.如权利要求1所述的控制电路(68),还包括电压电源,所述电压电源耦合到所述第一低压源和第二低压源(74,76),并且配置成将电压提供给所述第一低压源和第二低压源(74,76);以及
其中所述第一低压源(74)包括第一电容器,并且所述第二低压源(76)包括第二电容器。
3.如权利要求2所述的控制电路(68),还包括与所述电压电源串联耦合的阻塞二极管。
4.如权利要求1所述的控制电路(68),还包括第一低压电源,所述第一低压电源耦合到所述第二低压源(76),并且配置成将电压提供给所述第二低压源(76);
其中,所述第二低压源(76)包括电容器;以及
其中,所述第一低压源(74)包括第二低压电源。
5.如权利要求1所述的控制电路(68),其中,所述第一低压源和第二低压源(74,76)构造成提供大约R×I伏特的电压,其中R表示所述控制电路(68)的总寄生电阻,并且I表示提供给所述电子束操纵线圈(62)的预期稳态电流。
6.如权利要求1所述的控制电路(68),还包括:
与所述第一开关装置(90)串联连接的第一二极管(80);以及
与所述第二开关装置(94)串联连接的第二二极管(82)。
7.如权利要求1所述的控制电路(68),其中,所述第一低压源(74)、所述电容器(86)和所述第一开关装置(90)设置成产生穿过所述电子束操纵线圈(62)的具有第一极性的电流;以及
其中,所述第二低压源(76)、所述电容器(86)和所述第二开关装置(94)设置成产生穿过所述电子束操纵线圈(62)、具有与所述第一极性相反的第二极性的电流。
8.如权利要求7所述的控制电路(68),其中,所述第一低压源(74)、所述电容器(86)和所述第一开关装置(90)可操作以使电子束沿轴在第一方向偏转;以及
其中,所述第二低压源(76)、所述电容器(86)和所述第二开关装置(94)可操作以使所述电子束沿所述轴在第二方向偏转。
9.如权利要求7所述的控制电路(68),其中,所述第一低压源(74)、所述电容器(86)和所述第一开关装置(90)可操作以产生第一焦斑几何特征;以及
其中,所述第二低压源(76)、所述电容器(86)和所述第二开关装置(94)可操作以产生第二焦斑几何特征。
10.如权利要求1所述的控制电路(68),其中,所述第一低压源和第二低压源(74,76)各提供大约2V的电压。
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