[发明专利]离子注入装置及控制该离子注入装置的方法有效
| 申请号： | 201110222059.1 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102915901A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李法涛;阳厚国 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜娟娟;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 控制 方法 | ||
1.一种适用于平带状离子束的离子注入装置，所述装置包括产生离子束的离子源、加速离子束的加速器、安装所述晶片并控制所述晶片按照既定方向移动以被离子束扫描的终端站，其特征在于，所述离子注入装置还包括用于根据所接收的一组输入数据以改善晶片边缘注入均匀性的控制模块，所述输入数据为离子束束流范围、束流均匀性参数、涉及注入转角的参数、以及束流效率中的一个或多个。
2. 根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，所述晶片为多晶硅晶片。
3. 根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述离子束束流范围在5mA到8mA之间。
4. 根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述束流效率大于90%。
5. 根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述束流均匀性参数<0.8。
6. 根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述涉及注入转角的参数包括转角次数和转角角度。
7. 根据权利要求6所述的离子注入装置，其特征在于，所述转角次数为四次，所述转角角度的起始角度为45°。
8. 一种控制适用于平带状离子束的离子注入装置的离子注入均匀性的方法，所述离子注入装置包括产生离子束的离子源、加速离子束的加速器、安装所述晶片并控制所述晶片按照既定方向移动以被离子束扫面的终端站，其特征在于，所述方法包括：
输入一组数据，该组数据为离子束束流范围、束流均匀性参数、涉及注入转角的参数、以及束流效率中的一个或多个，以及
根据所输入的该组数据，调整所述离子源所发射的离子束、或调整晶片的移动方向、或调整所述离子源所发射的离子束和晶片的移动方向，以控制晶片离子注入的均匀性。
9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述晶片为多晶硅晶片。
10. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所输入的离子束束流范围在5mA到8mA之间。
11. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所输入的束流效率大于90%。
12. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所输入的束流均匀性参数<0.8。
13. 根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所输入的涉及注入转角的参数包括转角次数和转角角度。
14. 根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述转角次数为四次，所述转角角度的起始角度为45°。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110222059.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
