[发明专利]一种倒装结构的发光二极管芯片无效
| 申请号： | 201110222610.2 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102916101A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 李永德;王维昀;吴烜梁 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 结构 发光二极管 芯片 | ||
1.一种倒装结构的发光二极管芯片，包括有衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层，所述n型半导体层覆盖在所述衬底的表面，所述有源层覆盖在所述n型半导体层的表面，所述p型半导体层覆盖在所述有源层的表面，其特征在于：还包括用于外露n型半导体层的n极刻蚀孔，所述n极刻蚀孔的底部和内壁设置有与所述n型半导体层连接的n极接触层，所述p型半导体层表面设置有与所述p型半导体层连接的p极接触层；
所述n极接触层包括有n极绝缘透明层、n极金属层，所述n极绝缘透明层覆盖在所述n极刻蚀孔的内壁，所述n极金属层覆盖在所述n极绝缘透明层的表面和n极刻蚀孔的底部，所述n极金属层的表面设置有n极电极层，所述n极电极层通过所述n极金属层与所述n型半导体层电连接；
所述p极接触层包括有p极绝缘透明层、p极金属层，所述p极绝缘透明层覆盖在所述p型半导体层的表面，且所述p极绝缘透明层开设有p极接触孔，所述p极金属层覆盖在所述p极绝缘透明层的表面，且所述p极金属层通过所述p极接触孔与所述p型半导体层电连接，所述p极金属层的表面设置有p极电极层，所述p极电极层与所述p极金属层电连接。
2.根据权利要求1所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述n极刻蚀孔、p极接触孔均为倒锥台型。
3.根据权利要求2所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述n极刻蚀孔的孔壁与所述n型半导体层表面的夹角为35～55度。
4.根据权利要求2所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述p极接触孔的孔壁与所述p型半导体层表面的夹角为35～55度。
5.根据权利要求1～4任意一项所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述n极刻蚀孔的边沿与p极接触孔的边沿的距离大于10 μm。
6.根据权利要求1～4任意一项所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述n极刻蚀孔位于所述n型半导体层的中央，所述p极接触孔为圆环状，且p极接触孔以n极刻蚀孔为圆心。
7.根据权利要求5所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述n极刻蚀孔的边沿与p极接触孔的边沿的距离为11～30 μm。
8.根据权利要求6所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述p极接触孔为至少两个。
9.根据权利要求6所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述n极接触层的表面、p极接触层的表面均覆盖有钝化层，所述钝化层开设有用于供n极电极层和p极电极层凸出的窗口。
10.根据权利要求9所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述钝化层呈圆环状，且钝化层以所述n极电极层为圆心围绕着n极电极层，所述p极电极层围绕着所述钝化层，且p极电极层的外边缘呈矩形。
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