[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110223728.7 申请日: 2011-08-05
公开(公告)号: CN102315391A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 娄双玲 申请(专利权)人: 创维液晶器件(深圳)有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于电致发光器件技术领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

OLED器件通常采用三明治结构,即阴极和阳极之间夹有机层结构,当前多层有机层结构通常为:空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层,在有机层与电机的界面处可引入缓冲层提高载流子注入能力。OLED器件的发光亮度与从两极注入的空穴、电子载流子数量、二者复合形成激子情况、激子衰减发光状况有关,发光效率与发光层内空穴和电子数量的平衡度相关。常用的这种结构中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。现有器件中电子数量偏少,影响器件发光效率。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种有机电致发光器件,解决现有技术中器件发光效率不高的技术问题;以及,提供该有机电致发光器件制备方法。

本发明是这样实现的,

一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极、位于该阳极和阴极之间的发光层;该阳极和发光层之间设有空穴注入层、空穴传输层和激子分离层,该空穴注入层包括位于阳极上第一空穴注入部分和位于该第一空穴注入部分上的第二空穴注入部分;该空穴传输层位于第一空穴注入部分上,与该第二空穴注入部分相邻排列;该激子分离层位于第二空穴注入部分上;该空穴传输层上表面和激子分离层上表面处于同一水平面上;该第二空穴注入部分的材质为酞菁金属络合物。

以及,

一种有机电致发光器件制备方法,包括如下步骤:

通过真空蒸镀或旋涂在一衬底上形成阳极,得到含阳极的衬底;

通过真空蒸镀或旋涂在阳极上制备第一空穴注入部分,通过真空蒸镀或旋涂在该第一空穴注入部分上制备第二空穴注入部分,通过真空蒸镀或旋涂在该第二空穴注入部分上制备激子分离层;

通过真空蒸镀或旋涂在在第一空穴注入部分上制备形成空穴传输层,使该空穴传输层和第二空穴注入部分相邻排列,使该空穴传输层上表面和激子分离层上表面处于同一水平面上;

通过真空蒸镀或旋涂在该发光层上形成阴极,得到有机电致发光器件。

本发明实施例有机电致发光器件,通过将激子分离层和空穴传输层设置于空穴注入层上,既实现了空穴传输功能;同时,空穴注入层采用吸光材料,在器件工作过程中,空穴注入层吸收可见光并产生空穴电子对,该空穴电子对进入激子分离层,分离成空穴和电子,电子能够重新进入发光层被再次利用,使得发光效率大大增加。本发明实施例有机电致发光器件制备方法,操作简单、成本低廉,生产效益高,非常适于工业化生产。

附图说明

图1是本发明实施例一有机电致发光器件结构图;

图2是本发明实施例二有机电致发光器件结构图;

图3是本发明实施例三有机电致发光器件结构图;

图4是本发明实施例四有机电致发光器件结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

请参阅图1,图1显示本发明实施例有机电致发光器件结构图,包括阳极1、阴极2、位于该阳极1和阴极2之间的发光层3;该阳极1和发光层3之间设有空穴注入层4、空穴传输层5和激子分离层6,该空穴注入层4包括位于阳极1上第一空穴注入部分41和位于该第一空穴注入部分41上的第二空穴注入部分42;该空穴传输层5位于第一空穴注入部分41上,与该第二空穴注入部分42相邻排列;该激子分离层6位于第二空穴注入部分42上,该空穴传输层5上表面和激子分离层6上表面处于同一水平面上;该第二空穴注入部分42的材质为酞菁金属络合物。

具体地,本发明实施例有机电致发光器件,通过将激子分离层6和空穴传输层5设置于空穴注入层4上,既实现了空穴传输功能;同时,空穴注入层4采用吸光材料,在器件工作过程中,空穴注入层4吸收可见光并产生空穴电子对,该空穴电子对进入激子分离层6,分离成空穴和电子,电子能够重新进入发光层3被再次利用,使得发光效率大大增加。

具体地,该阳极1包括衬底11和导电膜12。

具体地,该空穴注入层4位于阳极1上。该空穴注入层4包括第一空穴注入部分41和第二空穴注入部分42,该第一空穴注入部分41和第二空穴注入部分42并列于阳极1和阴极2之间,该第一空穴注入部分41位于阳极1上,该第二空穴注入部分42位于该第一空穴注入部分41上,该第一空穴注入部分41和第二空穴注入部分42的面积比为2-4∶1;

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