[发明专利]清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法有效
| 申请号： | 201110223862.7 | 申请日： | 2011-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102909204A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 徐乃涛 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B08B11/00 | 分类号： | B08B11/00;B08B3/00;H01L21/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 刻蚀 工艺 方法 | ||
1.一种清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：其包括以下步骤：
用BOE和EG混合溶剂漂洗圆片；
用表面活性剂清洗圆片，再喷淋甩干圆片；
去除圆片上的光刻胶；
再次用BOE与EG漂洗；以及
使用去离子水清洗圆片。
2.根据权利要求1所述的清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：所述用表面活性剂清洗圆片的步骤中，先稀释表面活性剂，然后将圆片放在所述稀释好的表面活性剂溶液中上下漂洗，接着用去离子水对漂洗后的圆片喷淋清洗，再甩干。
3.根据权利要求2所述的清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：所述稀释表面活性剂的步骤中，将表面活性剂稀释到200～500倍。
4.根据权利要求3所述的清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：将表面活性剂稀释到300～400倍。
5.根据权利要求2所述的清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：所述漂洗的步骤中，将圆片放在稀释好的表面活性剂中上下漂洗150～300秒。
6.根据权利要求5所述的清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：将圆片放在稀释好的表面活性剂中上下漂洗180～240秒。
7.根据权利要求1所述的清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：所述去除光刻胶的步骤中，采用O2等离子体去除光刻胶。
8.根据权利要求1所述的清洗深硅刻蚀工艺后的圆片的方法，其特征在于：所述圆片上设置有MEMS结构。
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