[发明专利]一种功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201110224016.7 申请日: 2011-08-05
公开(公告)号: CN102244066A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 刘国友;覃荣震;黄建伟 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52;H01L25/07
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪
地址: 412001 湖南*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 功率 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块从下至上依次包括金属板、功率半导体芯片和电极引出片;所述金属板用于承载功率半导体芯片,并为功率半导体芯片提供电流通路;电极引出片上设有连接端子,用于与功率半导体芯片连接以实现功率半导体芯片的互连。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述电极引出片为复合母排或多层印制电路板。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体芯片为若干IGBT芯片和FRD芯片,IGBT芯片上设有第一发射极、第一栅极和集电极,FRD芯片上设有阳极和阴极;IGBT芯片的集电极与FRD芯片的阴极相连,IGBT芯片的第一发射极与FRD芯片的阳极相连。

4.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其特征在于,所述IGBT芯片和FRD芯片均位于金属板上,IGBT芯片的集电极与金属板接触,FRD芯片的阴极与金属板接触。

5.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其特征在于,所述电极引出片上的连接端子包括第二发射极和第二栅极,所述IGBT芯片的第一发射极与电极引出片的第二发射极相连,IGBT芯片的第一栅极与电极引出片的第二栅极相连,FRD芯片的阳极与电极引出片的第二发射极相连。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述金属板与功率半导体芯片之间设有第一弹性板,所述第一弹性板上设有芯片窗口,用于对功率半导体芯片进行定位和固定。

7.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体芯片与电极引出片之间设有第二弹性板,所述第二弹性板上穿设有带状线,用于将功率半导体芯片与电极引出片相连。

8.根据权利要求7所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第二弹性板的下表面设有第一定位口,用于对功率半导体芯片进行定位。

9.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述电极引出片的下表面设有第二定位口,用于对功率半导体芯片进行定位。

10.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述金属板的下表面设有散热器。

11.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块为圆形或方形。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司,未经株洲南车时代电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110224016.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top