[发明专利]一种功率半导体模块有效
申请号: | 201110224016.7 | 申请日: | 2011-08-05 |
公开(公告)号: | CN102244066A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请(专利权)人: | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/52 | 分类号: | H01L23/52;H01L25/07 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人: | 赵洪 |
地址: | 412001 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体 模块 | ||
1.一种功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块从下至上依次包括金属板、功率半导体芯片和电极引出片;所述金属板用于承载功率半导体芯片,并为功率半导体芯片提供电流通路;电极引出片上设有连接端子,用于与功率半导体芯片连接以实现功率半导体芯片的互连。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述电极引出片为复合母排或多层印制电路板。
3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体芯片为若干IGBT芯片和FRD芯片,IGBT芯片上设有第一发射极、第一栅极和集电极,FRD芯片上设有阳极和阴极;IGBT芯片的集电极与FRD芯片的阴极相连,IGBT芯片的第一发射极与FRD芯片的阳极相连。
4.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其特征在于,所述IGBT芯片和FRD芯片均位于金属板上,IGBT芯片的集电极与金属板接触,FRD芯片的阴极与金属板接触。
5.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其特征在于,所述电极引出片上的连接端子包括第二发射极和第二栅极,所述IGBT芯片的第一发射极与电极引出片的第二发射极相连,IGBT芯片的第一栅极与电极引出片的第二栅极相连,FRD芯片的阳极与电极引出片的第二发射极相连。
6.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述金属板与功率半导体芯片之间设有第一弹性板,所述第一弹性板上设有芯片窗口,用于对功率半导体芯片进行定位和固定。
7.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体芯片与电极引出片之间设有第二弹性板,所述第二弹性板上穿设有带状线,用于将功率半导体芯片与电极引出片相连。
8.根据权利要求7所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第二弹性板的下表面设有第一定位口,用于对功率半导体芯片进行定位。
9.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述电极引出片的下表面设有第二定位口,用于对功率半导体芯片进行定位。
10.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述金属板的下表面设有散热器。
11.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块为圆形或方形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲南车时代电气股份有限公司,未经株洲南车时代电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110224016.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置和基板处理系统
- 下一篇:复合型双通道连续可调光延时器