[发明专利]金属薄膜电容及其制备方法

权利要求书

1.一种金属薄膜电容，包括绝缘基板（4），其特征在于：在绝缘基板（4）的顶部设有带引出端                                                （6）的金属薄膜电极（1），在引出端（6）接口外的金属薄膜电极（1）表面上设有介质薄膜（2），在介质薄膜（2）的顶部设有带引出端（7）的金属薄膜电极（3）。

2.根据权利要求1所述的金属薄膜电容，其特征在于：在引出端（6）及引出端（7）以外的表面上都设有钝化保护膜（5），其材料为二氧化硅或氮化硅。

3.根据权利要求1所述的金属薄膜电容，其特征在于：金属薄膜电极（1）及金属薄膜电极（3）的厚度分别为0.1～0.3μm，它们的材料均为钽、铌、铝、铜、银中的一种或几种的合金。

4.根据权利要求1所述的金属薄膜电容，其特征在于：介质薄膜（2）的厚度为0.04～0.06μm，其材料为五氧化二钽或氧化铝。

5.一种金属薄膜电容的制备方法，其特征在于：采用掩膜技术，在绝缘基板上沉积一个以上的金属薄膜电极，得到半成品A；在半成品A上采用掩膜技术沉积出介质薄膜，得到半成品B；在半成品B上采用掩膜技术沉积出金属薄膜电极，并在金属薄膜电极及金属薄膜电极上分别留出引出端和引出端，得到半成品C；将半成品C进行切割后，获得单个金属薄膜电容，并从引出端引出电容电极，再分装处理后得到成品。

6.根据权利要求5所述的金属薄膜电容的制备方法，其特征在于：在引出端以外的半成品C表面上沉积出钝化保护膜。

7.根据权利要求5所述的金属薄膜电容的制备方法，其特征在于：金属薄膜电极、介质薄膜及金属薄膜电极的沉积方式为物理或化学气相沉积法。

8.根据权利要求5所述的金属薄膜电容的制备方法，其特征在于：将半成品A、半成品B、半成品C分别进行热处理，热处理的温度为700～800℃，处理时间为25～35分钟。