[发明专利]一种栅源侧台保护的晶体管功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种栅源侧台保护的晶体管功率器件，包括硅片、栅氧化层、多晶硅层、栅电极、源电极、漏电极和栅源绝缘层，其特征在于；

所述栅源绝缘层包括二氧化硅层、第一氮化硅层、第二氮化硅层和热氧化侧台层；

所述二氧化硅层沉积在所述多晶硅层上，并且，所述第一氮化硅层设置在所述二氧化硅上，作为所述多晶硅的上保护层；

所述第二氮化硅层设置在所述多晶硅层的下表面，作为所述多晶硅层的下保护层；

所述热氧化侧台层设置在所述栅电极和所述源电极之间，用于侧台隔离所述栅电极和所述源电极。

2.根据权利要求1所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述晶体管功率器件为IGBT功率器件。

3.根据权利要求2所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为9000-12000埃，所述二氧化硅层的厚度为4000-7000埃，所述上保护层的厚度为400-800埃，所述下保护层的厚度为600-1000埃。

4.根据权利要求3所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为10000埃，所述二氧化硅层的厚度为5000埃，所述上保护层的厚度为600埃，所述下保护层的厚度为800埃。

5.根据权利要求4所述的晶体管功率器件，其特征在于，所述源电极的源区还包括一N+导电区，用于形成所述源电极的导电窗口。

6.一种栅源侧台保护的晶体管功率器件的制造方法，其特征在于，

包括如下步骤：

A、在所述硅片热氧化生长栅氧，形成所述栅氧化层；

B、生长第一氮化硅作为所述多晶硅层的下保护层；

C、生长多晶硅层，并热氧化所述多晶硅层，沉积二氧化硅层；

D、生长第二氮化硅作为所述多晶硅的上保护层；

E、光刻，形成所述栅电极，并且，热氧化多晶硅层形成隔离所述栅电极和所述源电极的热氧化侧台层；

F、形成所述源电极和所述漏电极；

G、形成所述晶体管功率器件。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在，步骤A具体执行：采用900-1100度的热氧化温度，热氧化生长栅氧，形成所述栅氧化层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在，步骤A具体执行：采用1000度的热氧化温度，热氧化生长栅氧，形成所述栅氧化层。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在，步骤F之后，还执行步骤F1：注入N+形成所述源电极源区的N+导电区。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在，步骤F1之后，还执行步骤F2：光刻及腐蚀掉源电极中源区的二氧化硅、氮化硅和表面N+导电区，形成所述源电极的导电窗口。