[发明专利]沟槽型功率MOS晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201110224890.0 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102254804A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 胡学清;吴小利;龙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mos 晶体管 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底的待形成体区的区域，植入第一能量的离子；
在所述衬底的待形成体区的区域，植入第二能量的离子，所述第一能量的离子的能量大于所述第二能量的离子的能量，所述第二能量的离子注入的深度在所述MOS晶体管的源极结附近。
2.根据权利要求1所述的沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一能量的离子与所述第二能量的离子种类相同。
3.根据权利要求2所述的沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述离子为硼离子。
4.根据权利要求1所述的沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一能量的离子的浓度等于所述第二能量的离子的浓度。
5.根据权利要求4所述的沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述离子的浓度为5.5*1012/cm3。
6.根据权利要求1所述的沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一能量的离子的能量为180Kev。
7.根据权利要求1所述的沟槽型功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，所述第二能量的离子的能量为55Kev。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
