[发明专利]多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法无效
申请号: | 201110225435.2 | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN102351362A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 罗成;杨远辉;范协诚;李刚;林冲;向怀果 | 申请(专利权)人: | 天威四川硅业有限责任公司 |
主分类号: | C02F9/10 | 分类号: | C02F9/10;C01D3/04;C02F101/12 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 毛光军 |
地址: | 611430 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 生产 中高 氯离子 废水 处理 方法 | ||
1.多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法,其特征在于处理步骤为:
A.对聚集在水池内的高含氯离子废水进行预处理得到澄清度和pH值达标的氯化钠溶液和沉淀,具体指标为SS<25mg/l,pH在6~9;
B.将步骤A得到的氯化钠溶液进行浓缩,得到40%~50%的氯化钠浓缩液及50%~60%的回用水;并将沉淀进行过滤,过滤后得到饼状的废渣;
C.将步骤B得到的氯化钠浓缩液进行蒸发,当有晶体析出时将饱和氯化钠溶液进行冷却结晶得到氯化钠固液混合物;
D.将步骤C得到的含有结晶体的氯化钠固液混合物进行过滤和吹干,过滤出氯化钠晶体颗粒,形成氯化钠盐,滤液再循环蒸发。
2.根据权利要求1所述的多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法,其特征在于:所述预处理是指:当水池内的高含氯离子废水为酸性时,首先在高含氯离子废水中加入浓度为30%~32%的碱液进行中和处理,加入量由碱液计量泵和pH计进行联锁控制,确保废水中和后的pH值在6~9;当水池内的高含氯离子废水为碱性时,首先在高含氯离子废水中加入浓度为30%~32%的盐酸进行中和处理,加入量由盐酸计量泵和pH计进行联锁控制,确保废水中和后的pH值在6~9;
将高含氯离子废水的pH值调至中性后,加入聚合氯化铝混凝剂使高含氯离子废水中的悬浮颗粒形成矾花,再加入聚丙烯酰胺絮凝剂使高含氯离子废水中的矾花凝结成更大的块状沉淀;最后将凝结有块状沉淀的高含氯离子废水置于沉淀槽中进行静置沉淀,使上清液和沉淀进行分离,得到澄清度SS<25mg/l和pH值在6~9的氯化钠溶液。
3.根据权利要求2所述的多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法,其特征在于:加入的聚合氯化铝混凝剂浓度为9%~12%,加入量为:1m3高含氯离子废水加入10%的聚合氯化铝4L的比例。
4.根据权利要求2所述的多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法,其特征在于:加入的聚丙烯酰胺絮凝剂为白色粉末状物质,阴离子型,分子量800万以上,加入清水配制成浓度为0.08%~0.12%的溶液,加入量为:1m3高含氯离子废水加入配制浓度为0.1%的聚丙烯酰胺絮凝剂2L。
5.根据权利要求1所述的多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法,其特征在于:步骤B中所述浓缩采用反渗透方法,将氯化钠溶液通过反渗透膜,水透过反渗透膜成为纯水,即回用水。
6.根据权利要求1或5所述的多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法,其特征在于:所述步骤B中对沉淀进行过滤时是通过板框压滤机过滤;在过滤前的污泥是加入有辅助性的助滤剂,加入量为:1m3氯化钠浓缩液加入4L的浓度为10%的聚合氯化铝和1m3氯化钠浓缩液加入2L的浓度为0.1%的聚丙烯酰胺絮凝剂溶液。
7.根据权利要求1所述的多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法,其特征在于:步骤C中所述蒸发是将氯化钠浓缩液通入蒸发器中,当有晶体析出时将饱和氯化钠溶液输送至结晶槽,通入循环冷却水进行冷却结晶。
8.根据权利要求7所述的多晶硅生产中高含氯离子废水的处理方法,其特征在于:在蒸发的过程中,蒸发器内气压为:-90KPa~-98 KPa,蒸发器内物料温度为:27~40℃,采用强制循环蒸发,循环泵出口不定时取样发现有结晶体析出时,将饱和溶液输送至结晶槽进行冷却结晶。
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