[发明专利]一种基于石墨烯电极的分子器件用于检测有机生物小分子的方法无效
申请号: | 201110225482.7 | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN102411019A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 郭雪峰;高力 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100871 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 电极 分子 器件 用于 检测 有机 生物 方法 | ||
1.一种基于石墨烯电极的DNA单分子连接器件,包括:
a)石墨烯晶体管器件阵列,所述石墨烯晶体管器件阵列中每个石墨烯晶体管器件均包括栅极、源极、漏极和导电沟道,所述导电沟道为石墨烯;其中,在所述石墨烯上设有由电子束刻蚀和氧等离子体刻蚀石墨烯得到的一个通道,所述通道上间隔设有长度为1-10nm的DNA序列连接部位,所述DNA序列连接部位与所述石墨烯晶体管器件中的源极和漏极垂直;
b)与待测有机生物小分子具有相互作用的末端经氨基修饰的DNA序列,或与待测有机生物小分子具有相互作用的末端连接氨基修饰的有机分子的DNA序列,其连接于所述DNA序列连接部位。
2.根据权利要求1所述的DNA单分子连接器件,其特征在于:所述栅极为含有厚度为100-1000nm二氧化硅层的硅基底,其电阻率为5-20ohm·cm-1;所述源极和漏极均由Cr电极层和设于所述Cr电极层上的Au电极层组成,所述Cr电极层厚度为1-100nm,所述Au电极层厚度为20-1000nm。
3.根据权利要求2所述的DNA单分子连接器件,其特征在于:所述栅极为含有厚度为300nm二氧化硅层的硅基底;所述Cr电极层厚度为80nm,所述Au电极层厚度为600nm。
4.一种制备权利要求1-3中任一项所述DNA单分子连接器件的方法,包括下述步骤:
1)构建石墨烯晶体管器件阵列;
2)在所述石墨烯晶体管器件阵列的每个石墨烯晶体管器件的石墨烯上旋涂正性电子束光刻胶,用电子束对所述电子束光刻胶进行曝光,得到虚线形状的曝光图案,然后进行氧等离子体刻蚀,使所述石墨烯晶体管器件的源极和漏极之间得到一个通道,并在所述通道上间隔得到长度为1-10nm的纳米间隙,所述纳米间隙与所述石墨烯晶体管器件中的源极和漏极垂直;
所述虚线形状的曝光图案中,线条宽度为2-10nm,优选5nm,每段实线的长度为150-500nm,优选150nm,实线间距为20-50nm,优选40nm;
3)将步骤2)得到的纳米间隙两侧的石墨烯的末端羧基进行活化,然后与下述序列1)或2)进行纳米间隙中的酰胺键共价连接,得到基于石墨烯电极的分子器件:所述序列1为与待测有机生物小分子具有相互作用的末端经氨基修饰的DNA序列;所述序列2)为与待测有机生物小分子具有相互作用的末端连接氨基修饰的有机分子的DNA序列。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述方法还包括在步骤2)中进行氧等离子体刻蚀后,对所述氧等离子体刻蚀没有形成所述纳米间隙的部位,利用电流烧断法继续处理,得到所述纳米间隙。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于:步骤1)中构建石墨烯晶体管器件的方法包括三个步骤;
a)在石墨烯上旋涂光刻胶,记为光刻胶1,对光刻胶1进行曝光得到标记图案,在标记图案处依次蒸镀厚度为1-100nmCr层、20-1000nmAu层,除去光刻胶1,在石墨烯曝光位置处留下了蒸镀的金属标记,所述金属标记用于下两步光刻的位置对准标记;所述石墨烯附着于表面具有二氧化硅层的硅基底上;
b)在步骤a得到的有金属标记的石墨烯上旋涂光刻胶2,通过步骤a的标记定位,曝光,留下条带状的光刻胶将部分石墨烯保护起来,其它部分通过曝光显影将石墨烯曝露出来,用氧等离子体刻蚀掉其它部分曝露的石墨烯,保护在条带状光刻胶下面的石墨烯不被刻蚀得以保留,除去光刻胶2,得到条带状石墨烯,将所述条带状石墨烯在氢气和氩气气氛下于400-450度退火,清洁石墨烯条带的表面;
c)在步骤b得到有石墨烯条带的硅片上旋涂光刻胶3,通过步骤a的标记定位在石墨烯条带上曝光出源极和漏极电极图案,所述源极和漏极之间的间距为4-7μm,在所述电极图案上依次蒸镀厚度为1-100nm的Cr层、厚度为20-1000nm的Au层作为器件的源极和漏极,除去光刻胶3,得到所述石墨烯晶体管器件阵列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110225482.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。