[发明专利]新型IC封装制造工艺

权利要求书

1.一种新型IC封装制造工艺，其特征在于：包括依次进行的底片制造工艺、盖板制造工艺以及底片和盖板的封装工艺，

所述的底片制造工艺包括：

步骤1.1，底片制作；

步骤1.2，开料；

步骤1.3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；

步骤1.4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；

步骤1.5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；

步骤1.6，图形转移；

步骤1.7，图形电镀；

步骤1.8，退膜，

步骤1.9，半孔加工；

步骤1.10，蚀刻；

步骤1.11，退锡；

步骤1.12，阻焊；

步骤1.13，化金，完成底片的制作；

所述的盖板制造工艺包括：

步骤2.1，盖板备料；

步骤2.2，盖板开料；

步骤2.3，背胶；

步骤2.4，机加工；

步骤2.5，清洗，完成盖板的制作；

所述的底片和盖板的封装工艺包括：

步骤3.1，压合；

步骤3.2，烘烤； 

步骤3.3，清洗，完成封装工艺。

2.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1.11完成后需对底片进行第一次检测，所述的步骤1.13对底片进行第二次检测。

3.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤3.3完成后对成品进行终检。

4.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1.1中在进行光绘底片时须进行工艺补偿，工艺补偿须依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片。

5.根据权利要求1所述的IC封装载板的制造工艺，其特征在于：所述的步骤2.1中盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。

6.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1.6中包括以下子步骤：

步骤1.6.1，磨板；

步骤1.6.2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；

步骤1.6.3，烘干后立即进行贴膜；

步骤1.6.4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿。

7.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1.9中，半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。

8.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1.10中，蚀刻采用CuCl₂溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。

9.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤3.1中，压合温度控制在175摄氏度，时间控制在5分钟；压合完成后，再用平整钢板夹紧，用150摄氏度温度烘烤60分钟，冷却后再插架，以免基板变形。