[发明专利]新型IC封装制造工艺

权利要求书

1.一种新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的工艺包括以下步骤：

步骤1，制作IC载板；

步骤2，准备封装盖板；

步骤3，在封装盖板反面上上胶，通过机械整体压合到IC载板上；

步骤4，采用±0.05mm高精度雕刻机雕刻成型，

步骤5，通过绑定机绑定IC载板，

步骤6，在封装盖板正面覆上50Um树脂型纯胶，

步骤7，把封装玻璃通过机械整体压合在盖板上，再通过分割机切割成型。

2.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤3中在封装盖板反面上胶是指在封装盖板反面上50Um树脂型纯胶，并且在步骤3中进行整体压合时需要将温度控制在170-180度，时间控制在30分钟。

3.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤7中，将封装玻璃通过机械整体压合在盖板上时，需要将温度控制在170-180度，时间控制在30分钟。

4.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1包括以下步骤：

步骤1-1，底片制作，即进行光绘底片制作；

步骤1-2，开料；

步骤1-3，钻孔，即在底片上冲钻基准孔；

步骤1-4，沉铜，即在底片的基材表面和基准孔上沉上一层化学薄铜；

步骤1-5，加厚铜，即再一次沉铜，以使铜层厚度增加；

步骤1-6，图形转移；

步骤1-7，图形电镀；

步骤1-8，退膜， 

步骤1-9，半孔加工；

步骤1-10，蚀刻；

步骤1-11，退锡；

步骤1-12，对底片进行第一次测试；

步骤1-13，阻焊；

步骤1-14，化金；

步骤1-15，对底片进行第二次测试。

5.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤2包括：

步骤2-1，盖板备料；

步骤2-2，盖板开料；

步骤2-3，背胶；

步骤2-4，机加工；

步骤2-5，清洗。

6.根据权利要求4所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1-1中在进行光绘底片时须进行工艺补偿，工艺补偿依据测量不同厚度Cu的侧蚀来确定，所述的底片为正片。

7.根据权利要求4所述的IC封装载板的制造工艺，其特征在于：所述的步骤2-1中盖板的材料使用高TG双面板材，并将双面板材的铜皮蚀掉。

8.根据权利要求4所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1-6中包括以下子步骤：

步骤1-6-1，磨板；

步骤1-6-2，对Cu面的处理运用化学微蚀处理；

步骤1-6-3，烘干后立即进行贴膜；

步骤1-6-4，显影后，用刻度放大镜测量线及间隙是否达到图纸要求，保证线条光滑无锯齿。 

9.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1-9中，半孔加工采用正反两刀铣槽，行刀速度控制在1-2米/分钟。

10.根据权利要求1所述的新型IC封装制造工艺，其特征在于：所述的步骤1-10中，蚀刻采用CuCl₂溶液进行腐蚀，同时将图形BGA面朝下以减少侧蚀量。