[发明专利]硫杂环稠合的萘二酰亚胺类化合物、制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201110225678.6 申请日: 2011-08-08
公开(公告)号: CN102351879A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 高希珂;狄重安;胡云宾;朱道本;秦云科 申请(专利权)人: 中国科学院上海有机化学研究所;中国科学院化学研究所
主分类号: C07D495/22 分类号: C07D495/22;H01L51/30
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 邬震中
地址: 200032 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硫杂环稠合 萘二酰 亚胺 化合物 制备 方法 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及硫杂环稠合的萘二酰亚胺类有机半导体材料,具体地说涉及双[2-(1,3-二噻环戊烯-2-亚基)丙二腈]稠合的萘二酰亚胺化合物、制备方法和作为n-型有机半导体材料在有机薄膜场效应晶体管等中的应用。

背景技术

有机薄膜晶体管(organic thin film transistors,简称OTFT)具有制备工艺简单、成本低、质量轻、柔韧性、和塑料衬底良好的兼容性等优点,其在智能卡、电子标签、电子纸、有源矩阵显示、传感器、存储器等柔性电子产品方面具有广阔的应用前景(Nature 2004,428,911-918.;Science 2009,326,1516-1519.;Nat.Mater.2010,9,859-864.;Adv.Mater.2010,22,3778-3798.;Science 2010,327,1603-1607)。英国AIM最新预测,到2029年,全球柔性电子产品市场的销售总额将达到3350亿美元,其中OTFT将在最具增长潜力的柔性显示驱动、有机电子标签、有机传感器等方面发挥举足轻重的作用(AIM Research Reports.2009,1-38)。鉴于OTFT广阔的应用前景和巨大的市场潜力,近年来,Philips、3M、Sony、Samsung、Merck、Basf、Solvay及新兴的基于有机电子的PolyIC、Plastic Logic、Polyera等公司企业竞相投入这一领域。

有机半导体材料是OTFT的关键组分,按其传输载流子的类型,分为p-型和n-型,前者传输的载流子主要是空穴,而后者主要是电子。对于OTFT的发展,p-型和n-型有机半导体材料是同等重要的,由二者共同构筑的有机互补电路(Organic complementary circuits)具有功耗低、操作速度快、设计简单、噪音容限大等优点,可广泛应用于各种有机数字逻辑电路,是实现有机电子功能器件应用的基础。另一方面,OTFT的发展,还要求有机半导体材料在适当的溶剂中具有良好的溶解度,可制成各种活性墨水,利用印刷电子(Printed electronics)技术,如:甩膜、喷墨打印、卷对卷印刷等,大面积、低成本、规模化制备OTFT器件及有机电路。

整体来说,可溶液加工的p-型有机半导体材料发展较快,一些分子材料溶液法成膜的OTFT器件的迁移率已达到或超过非晶硅薄膜器件的性能(0.1-1.0cm2V-1s-1)。其中有机小分子材料的OTFT器件迁移率高达1.0-31cm2V-1s-1,聚合物材料的迁移率达到0.5-3.3cm2V-1s-1,并表现出良好的空气稳定性(Minemawari,H.et a1.Nature 2011,475,364-367.;Tsao,H.N.et al.J.Am.Chem.Soc.2011,133,2605-2612.)。然而,n-型有机半导体材料的发展远远落后于p-型有机半导体材料,高电子迁移率、稳定、可溶液加工的n-型有机半导体材料极为短缺,这大大限制了基于有机互补电路的柔性电子功能器件的发展(Newman,C.R.et al.Chem.Mater.2004,16,4436-4451.;Anthony,J.E.etal.Adv.Mater.2010,22,3876-3892.)。

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