[发明专利]模拟基带电路

权利要求书

1.一种模拟基带电路，其特征是，包括：

双转单的低通滤波器，接收一模拟基带信号，并滤除该模拟基带信号中频率高于基带的部分，同时将该模拟基带信号由两路信号转换为单路信号；

高通滤波器，接收经双转单的低通滤波器得到的单路信号，并将该单路信号中频率低于基带的部分滤除；

阈值比较器，接收经无源高通滤波器得到的信号，并将其与一预设的阈值电压进行比较，从而将模拟基带信号转换为数字信号；

输出缓冲器，将经阈值比较器得到的数字信号整形后输出。

2.根据权利要求1所述的模拟基带电路，其特征是，所述双转单的低通滤波器的截止频率选择在所述模拟基带信号带宽的一半处。

3.根据权利要求1所述的低功耗模拟基带电路，其特征是，所述高通滤波器的截止频率为2～20MHz。

4.根据权利要求1所述的模拟基带电路，其特征是，所述高通滤波器的截止频率为10MHz。

5.根据权利要求1所述的模拟基带电路，其特征是，所述双转单的低通滤波器包括：

第一NMOS，其栅极耦接一直流源，源极接地；

第二NMOS与第三NMOS，其源极相连且耦接至第一NMOS的漏极，栅极分别通过第一电容与第二电容耦接模拟基带信号，且栅极分别通过第一电阻与第二电阻耦接一直流源；

第一PMOS与第二PMOS，其源极相连且电连接供电电源，栅极相连并耦接至第二NMOS的漏极，第一PMOS的漏极耦接第二NMOS的漏极，第二PMOS的漏极耦接第三NMOS的漏极。

6.根据权利要求5所述的模拟基带电路，其特征是，所述双转单的低通滤波器还包括第一状态控制单元，其包括：

第三PMOS，其栅极耦接一脉冲控制信号，源极耦接至所述供电电源，漏极耦接至所述第一PMOS与第二PMOS的源极。

7.根据权利要求6所述的模拟基带电路，其特征是，所述高通滤波器为无源高通滤波器。

8.根据权利要求7所述的模拟基带电路，其特征是，所述无源高通滤波器包括：

第三电阻，一端电连接供电电源；

第三电容，其一端耦接第二PMOS的漏极，另一端耦接第三电阻的另一端。

9.根据权利要求8所述的模拟基带电路，其特征是，所述无源高通滤波器还包括：第二状态控制单元，其包括：

第四PMOS，其源极耦接所述供电电源，栅极耦接一脉冲控制信号；

第四NMOS，其栅极和漏极耦接所述第四PMOS的漏极；

第五NMOS，其源极接地，栅极和漏极耦接所述第四NMOS的源极与所述第三电阻的一端。

10.根据权利要求8所述的模拟基带电路，其特征是，所述无源高通滤波器还包括开关单元，其包括：

第六NMOS，其栅极耦接一脉冲控制信号，源极接地，漏极耦接所述第三电阻与第三电容之间。

11.根据权利要求8所述的模拟基带电路，其特征是，所述阈值比较器包括：

第七NMOS，其栅极耦接一直流源，源极接地；

第八NMOS与第九NMOS，其源极相连且耦接至第七NMOS的漏极，第八NMOS的栅极耦接所述第三电阻与第三电容之间，第九NMOS的栅极通过第四电容接地并通过第四电阻耦接所述阈值电压；

第五PMOS与第六PMOS，其源极相连且电连接供电电源，栅极相连并耦接至第八NMOS的漏极，第五PMOS的漏极耦接第八NMOS的漏极，第六PMOS的漏极耦接第九NMOS的漏极。

12.根据权利要求11所述的模拟基带电路，其特征是，所述阈值比较器还包括第三状态控制单元，其包括：

第七PMOS，其栅极耦接一脉冲控制信号，源极耦接至所述供电电源，漏极耦接至所述第五PMOS与第六PMOS的源极。

13.根据权利要求11所述的模拟基带电路，其特征是，所述输出缓冲器包括：

第十NMOS与第八PMOS，其漏极相连，且栅极相连并耦接所述第六PMOS的漏极与第九NMOS的漏极，第十NMOS的源极接地，第八PMOS的源极耦接供电电源；

第十一NMOS与第九PMOS，其栅极相连且耦接所述第十NMOS与第八PMOS的漏极，所述第十一NMOS的源极接地，第九PMOS的源极耦接供电电源，且第十一NMOS与第九PMOS的漏极相连且引出整形后的数字信号。