[发明专利]膜形成设备和膜形成设备用的校准方法

权利要求书

1.一种膜形成设备，用于通过在真空室中使至少一种活性气体与膜形成材料相互反应来在处理对象基板上形成膜，所述膜形成设备包括：

遮蔽板，用于包围所述真空室中在相互面对的所述处理对象基板和靶材之间的溅射空间，其中，所述靶材包含所述膜形成材料；

气体供给部件，用于在形成所述膜时将至少包含所述活性气体的气体供给至所述真空室，并包括用于将气体导入由所述遮蔽板包围的所述溅射空间中的第一气体导入部件以及用于将气体导入在所述真空室的内壁和所述遮蔽板之间的溅射外部空间中的第二气体导入部件，其中，所述第二气体导入部件从所述第一气体导入部件分支；以及

气体流量比控制部件，用于调节要由所述第一气体导入部件导入所述溅射空间中的气体的流量相对于要由所述第二气体导入部件导入所述溅射外部空间中的气体的流量的比。

2.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，还包括压力检测部件，所述压力检测部件用于检测表示所述溅射空间中的压力的信号值。

3.根据权利要求2所述的膜形成设备，其特征在于，所述信号值是所述溅射空间中的压力值、施加至所述靶材的电压、流入所述靶材的电流、通过质谱仪测量到的分压和溅射放电时的发射强度至少之一。

4.根据权利要求2所述的膜形成设备，其特征在于，还包括控制器，所述控制器用于在所述信号值不同于预定基准值时控制所述气体流量比控制部件，以通过所述气体流量比控制部件使所述信号值等于所述预定基准值。

5.根据权利要求2所述的膜形成设备，其特征在于，

所述气体流量比控制部件包括设置在所述第一气体导入部件和所述第二气体导入部件至少之一中的阀，以及

所述气体流量比控制部件能够通过改变所述阀的阀开口来调节流量比。

6.根据权利要求5所述的膜形成设备，其特征在于，还包括：

控制器，用于在将预定流量的气体供给至所述气体供给部件时调节所述阀开口，以使得所述信号值等于预定基准值；以及

存储器，用于将由所述控制器调节后的阀开口作为常数存储。

7.根据权利要求6所述的膜形成设备，其特征在于，

至少使用第一流量值和第二流量值作为所述预定流量，

将使用所述第一流量值和所述第二流量值调节后的阀开口分别存储在所述存储器中作为第一阀开口和第二阀开口，以及

进一步将所述第一阀开口和所述第二阀开口的平均值存储在所述存储器中作为调节后的阀开口的常数。

8.根据权利要求2所述的膜形成设备，其特征在于，还包括显示器，所述显示器连接至所述压力检测部件并用于显示所述信号值。

9.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，所述溅射空间位于排气口与所述第一气体导入部件和所述第二气体导入部件之间，其中，排气部件通过所述排气口对所述真空室进行排气。

10.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，所述第一气体导入部件和所述第二气体导入部件位于所述溅射空间与排气口之间，其中，排气部件通过所述排气口对所述真空室进行排气。

11.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，还包括第三气体导入部件，所述第三气体导入部件用于独立于所述第一气体导入部件和所述第二气体导入部件将溅射气体导入所述真空室中。

12.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，还包括第二遮蔽板，所述第二遮蔽板包围所述第一气体导入部件的气体排出口。

13.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，所述膜形成设备是物理气相沉积设备。

14.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，所述气体供给部件能够供给所述活性气体和惰性气体的混合物，或通过切换供给所述活性气体和所述惰性气体之一。

15.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，

所述遮蔽板包括开口部，以及

所述第一气体导入部件为管状，并连接至所述遮蔽板的开口部。

16.根据权利要求1所述的膜形成设备，其特征在于，所述遮蔽板能够从所述膜形成设备拆卸下来。