[发明专利]一种检测结构及形成方法和检测方法

权利要求书

1.一种检测结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，位于所述半导体衬底第一区域内的若干多边形有源区，位于所述半导体衬底第一区域内且形成在所述有源区周围的浅沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底第二区域内的离子掺杂区；

覆盖所述有源区和浅沟槽隔离结构的栅氧化层，位于所述栅氧化层表面的多晶硅层；

覆盖所述半导体衬底和多晶硅层的介质层，位于所述多晶硅层表面且贯穿所述介质层的第一导电插塞，位于所述离子掺杂区表面且贯穿所述介质层的第二导电插塞；

位于所述第一导电插塞和介质层表面的第一金属层，位于所述第二导电插塞和介质层表面的第二金属层。

2.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述有源区的形状为矩形或三角形。

3.如权利要求2所述的检测结构，其特征在于，所述有源区的形状为等腰直角三角形或等边三角形。

4.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述检测结构第一区域内形成的有源区数量范围为100～10000个。

5.如权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述第一区域和第二区域相邻。

6.一种如权利要求1所述的检测结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底第一区域内形成若干多边形有源区，在所述半导体衬底第二区域内形成离子掺杂区；

在所述半导体衬底第一区域内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构形成于所述有源区的周围；

在所述浅沟槽隔离结构和有源区表面形成栅氧化层，在所述栅氧化层表面形成多晶硅层；

在所述半导体衬底和多晶硅层表面形成介质层；

在所述多晶硅层表面形成贯穿所述介质层的第一导电插塞，在所述离子掺杂区表面形成贯穿所述介质层的第二导电插塞，在所述第一导电插塞和介质层表面形成第一金属层，在所述第二导电插塞和介质层表面的第二金属层。

7.如权利要求6所述的检测结构的形成方法，其特征在于，所述形成浅沟槽隔离结构的工艺为高密度等离子化学气相沉积。

8.如权利要求6所述的检测结构的形成方法，其特征在于，所述检测结构与待检测的半导体器件采用同一形成工艺形成。

9.如权利要求8所述的检测结构的形成方法，其特征在于，所述检测结构与待检测的半导体器件在不同晶圆中形成，或与待检测的半导体器件在同一晶圆中形成。

10.一种利用如权利要求1至5任意一项所述的检测结构进行检测的检测方法，其特征在于，包括：

将检测电压施加到所述有源区和多晶硅层两端；

通过测量所述检测结构的栅氧化层的击穿电压，检测出所述有源区转角表面形成的栅氧化层是否变薄、所述有源区转角是否受损；

根据所述检测结构的检测结果，判断待检测的半导体器件有源区转角是否损伤。