[发明专利]一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺

权利要求书

1.一种CZ直拉法太阳能单晶生长工艺，包括引晶、放肩和转肩等径工艺过程，其特征在于：通过控制拉晶速度及降温速率，在转肩等径过程之前完成固液界面由凸转平过程，具体操作步骤如下：

（1）引晶工艺   

按照常规的CZ法进行太阳能单晶生长工艺的前期操作，设备升温，待达到液面熔化温度后，进入引晶步骤，引晶工艺过程为：

以3-8mm/min的拉晶速率向上拉晶，维持细晶直径3-5mm，待细晶长度150-200mm，以相对较快的拉晶速度提速，缩小细晶直径1-2mm维持长度3-5mm，降低拉速进入放肩步骤；

（2）放肩工艺   

引晶结束时，进入放肩步骤， 此步骤的工艺过程为：

放肩降低拉速至0.4-0.8mm/min，维持一个线性降温速率15℃-25℃/hr,待晶体直径放大至70-130mm，以1.2mm/min-3mm/min的拉速向上提升，及时降温8℃-10℃ ，同时停止线性降温，待晶体直径稳定后，给予一个固定晶体拉速1-1.5mm/min维持端面直径向上生长，适当的给予坩埚上升速率，待长度生长至50-100mm，降低拉晶速度至0.4-0.6mm/min, 开启线性降温速率，速率为前一步的110%-120%，停止坩埚上升速率，维持晶体直径迅速长大，达到产品要求直径时，进入转肩等径步骤；

（3）转肩等径工艺

待晶体直径生长至产品要求直径后，以1.2mm/min-3mm/min的拉晶速度迅速向上提升，及时降温5-10℃ ，同时停止线性降温，给予坩埚上升速率，根据直径变化率速度，缓慢调节拉速控制，待晶体直径相对稳定后，打开自动等径控制程序，进入自动等径控制阶段。