[发明专利]晶片级成型的光耦合器

权利要求书

1.一种光耦合器封装件，包括：

基板，具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及设置于所述第一表面和所述第二表面之间的电绝缘材料主体；

第一光电器件，埋入所述基板的所述电绝缘材料主体中，并设置于所述基板的第一表面和第二表面之间，所述第一光电器件具有第一导电区域和第二导电区域；

第二光电器件，埋入所述基板的所述电绝缘材料主体中，并设置于所述基板的第一表面和第二表面之间，并与所述第一光电器件以光学方式耦合，所述第二光电器件具有第一导电区域和第二导电区域；

第一电迹线，设置于所述基板的表面上并电耦接至所述第一光电器件的第一导电区域；

第二电迹线，设置于所述基板的表面上并电耦接至所述第一光电器件的第二导电区域；

第三电迹线，设置于所述基板的表面上并电耦接至所述第二光电器件的第一导电区域；以及

第四电迹线，设置于所述基板的表面上并电耦接至所述第二光电器件的第二导电区域。

2.根据权利要求1所述的光耦合器封装件，其中，至少一条电迹线冶金结合至所述第一光电器件的导电区域，并且至少一条电迹线冶金结合至所述第二光电器件的导电区域。

3.根据权利要求1所述的光耦合器封装件，其中，所述电绝缘材料主体以粘合的方式结合至所述第一光电器件和所述第二光电器件中的每一个。

4.根据权利要求1所述的光耦合器封装件，进一步包括设置于所述基板的所述第一表面上且在所述第一光电器件及所述第二光电器件上的透辐射材料主体。

5.根据权利要求4所述的光耦合器封装件，其中，所述第一光电器件具有设置于所述基板的第一表面处的第一表面以及与其第一表面相对的第二表面，其中，所述第一光电器件的第一导电区域和第二导电区域设置于所述第一光电器件的第二表面。

6.根据权利要求1所述的光耦合器封装件，进一步包括导电柱，埋入所述基板的所述电绝缘材料主体中并设置于所述基板的第一表面和第二表面之间，所述导电柱具有设置为比所述基板的第二表面更靠近所述基板的第一表面的第一端以及与所述第一端相对并设置为比所述基板的第一表面更靠近所述基板的第二表面的第二端；以及

其中，一条所述导电迹线具有设置于所述导电柱的一端之上并冶金结合至所述导电柱的该端的部分。

7.根据权利要求1所述的光耦合器封装件，其中，所述第一光电器件具有设置于所述基板的所述第一表面处的第一表面以及与其第一表面相对的第二表面；

其中，所述第二光电器件具有设置于所述基板的第一表面处的第一表面及与其第一表面相对的第二表面；以及

其中，所述基板的所述电绝缘材料主体覆盖所述第一光电器件和所述第二光电器件的第二表面。

8.根据权利要求7所述的光耦合器封装件，进一步包括设置于所述基板的介于所述基板的第二表面和所述光电器件中的一个的第二表面之间的所述电绝缘材料主体中的孔。

9.根据权利要求1所述的光耦合器封装件，进一步包括：

透辐射材料主体，设置于所述基板的第一表面上且在所述第一光电器件及所述第二光电器件上；

多个互连连接盘，设置于所述基板的第一表面上并在空间上与所述透辐射材料主体相分离，每个互连连接盘电耦接至至少一条所述电迹线；以及

多个互连凸块，每个互连凸块设置于各自的互连连接盘上。

10.根据权利要求1所述的光耦合器封装件，其中，所述基板的所述电绝缘材料主体包括对于所述光电器件中的一个所发射的辐射是不穿透的材料。

11.根据权利要求1所述的光耦合器封装件，其中，所述第二光电器件具有设置于所述基板的第一表面处的第一表面以及设置于所述基板的第二表面处的第二表面；以及

其中，所述第四电迹线设置于所述第二光电器件的整个第二表面上。