[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及成像设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，其特征在于：

所述固态成像装置包括对入射光进行光电转换的光接收部分，所述固态成像装置包括：

设置在所述光接收部分的光接收表面上且降低界面态的膜；以及

设置在所述降低界面态的膜上且具有固定负电荷的膜，

其中空穴积聚层设置在所述光接收部分的光接收表面侧，并且

其中所述固态成像装置为背侧照射型固态成像装置。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于：

所述具有固定负电荷的膜为氧化铪膜、氧化铝膜、氧化锆膜、氧化钽膜或氧化钛膜。

3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于：

所述具有固定负电荷的膜通过化学气相沉积法、溅射法或者原子层沉积法形成。

4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于：

所述降低界面态的膜由氧化硅膜形成。

5.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于包括：

周边电路部分，在所述光接收部分旁边的部分中，在所述周边电路部分中设置有周边电路，

其中绝缘膜设置在所述周边电路部分的表面与具有固定负电荷的所述膜之间，使得所述具有固定负电荷的膜距所述周边电路部分的表面的距离大于所述具有固定负电荷的膜距所述光接收部分的表面的距离。

6.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于包括：

周边电路部分，在所述光接收部分旁边的部分中，在所述周边电路部分中设置有周边电路，

其中在所述周边电路部分上面且在所述具有固定负电荷的膜下面的绝缘膜由氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化硅膜中的一种膜或多种膜的层叠结构形成。

7.根据权利要求1所述的固态成像装置，其特征在于包括：

多个像素部分和配线层，所述多个像素部分具有将入射光的量转换成电信号的光接收部分，所述配线层在半导体基板提供有所述像素部分的一个表面侧，其中从提供有该配线层的表面的相反侧入射的光用该光接收部分接收。

8.一种制造固态成像装置的方法，其特征在于：所述固态成像装置具有对入射光进行光电转换且设置在半导体基板上的光接收部分，所述制造固态成像装置的方法包括步骤：

在提供有所述光接收部分的所述半导体基板上形成降低界面态的膜；以及

在所述降低界面态的膜上形成具有固定负电荷的膜，

其中空穴积聚层由所述具有固定负电荷的膜形成在所述光接收部分的光接收表面侧，并且

其中所述固态成像装置为背侧照射型固态成像装置。

9.根据权利要求8所述的固态成像装置，其特征在于：

所述具有固定负电荷的膜通过化学气相沉积法、溅射法或者原子层沉积法形成。

10.根据权利要求8所述的固态成像装置，其特征在于：

所述降低界面态的膜由氧化硅膜形成。

11.一种成像设备，其特征在于包括：

聚光光学部分，会聚入射光；

固态成像装置，接收在所述聚光光学部分中会聚的所述入射光并对所述入射光进行光电转换；以及

信号处理部分，处理光电转换的信号电荷，

其中所述固态成像装置包括：

设置在对所述入射光进行光电转换的所述固态成像装置的光接收部分的光接收表面上且降低界面态的膜，以及

设置在所述降低界面态的膜上且具有固定负电荷的膜，以及

空穴积聚层设置在所述光接收部分的光接收表面上，并且

其中所述固态成像装置为背侧照射型固态成像装置。

12.根据权利要求11所述的固态成像装置，其特征在于：

所述具有固定负电荷的膜通过化学气相沉积法、溅射法或者原子层沉积法形成。

13.根据权利要求11所述的固态成像装置，其特征在于：

所述降低界面态的膜由氧化硅膜形成。