[发明专利]一种具有三谐振吸收峰的太赫兹波段超颖材料有效
| 申请号： | 201110226812.4 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102427150A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 张雅鑫;乔绅;凌伟;刘盛纲 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 谐振 吸收 赫兹 波段 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有三谐振吸收峰的太赫兹波段超颖材料，包括衬底基片和位于衬底基片表面周期性排列的金属谐振单元；所述金属谐振单元是由线宽为d的金属薄膜线条形成的非对称图形结构；该非对称图形结构包括中间由两个相同的单开口金属环相向连接而成的电开口环共振器，电开口环共振器的开口处宽度为w2、间距为g2；该非对称图形结构还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环，其中一个单开口金属环开口处宽度为(d+w1)、开口间距为g1，另一个单开口金属环开口处宽度为金属薄膜线条宽度d、开口间距为g3，且g3＞g1；整体金属谐振单元长为Ax、宽为Ay，相邻两个金属谐振单元长度方向上间距为(Lx-Ax)、宽度方向上间距为(Ly-Ay)。
2.根据权利要求1所述的具有三谐振吸收峰的太赫兹波段超颖材料，其特征在于，所述衬底基片材料为有机介质材料、陶瓷介质材料或半导体材料。
3.根据权利要求1所述的具有三谐振吸收峰的太赫兹波段超颖材料，其特征在于，所述金属薄膜线条材料是Au、Ag、Cu或Al。
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