[发明专利]一种双极结晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110226834.0 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102931225A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 张晋伟;詹景琳;吕晋贤;李明东;杜硕伦 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结晶体 及其 制造 方法 | ||
1.一种双极结晶体管，包括：
一阱区；
一射电极；
一基电极；
一集电极，其中该射电极、该基电极与该集电极通过该阱区互相分开；以及
一导电层，位于该基电极与该集电极之间的该阱区上。
2.根据权利要求1所述的双极结晶体管，更包括一介电结构，位于该导电层与该阱区之间。
3.根据权利要求1所述的双极结晶体管，其中该导电层包括掺杂的多晶硅、金属硅化物或金属。
4.根据权利要求1所述的双极结晶体管，其中该射电极与该集电极具有一第一导电型，该基电极具有相反于该第一导电型的一第二导电型。
5.根据权利要求1所述的双极结晶体管，其中该阱区包括相邻近的一第一阱部分与一第二阱部分，该第一阱部分具有一第一导电型，该第二阱部分具有相反于该第一导电型的一第二导电型。
6.根据权利要求5所述的双极结晶体管，其中该导电层位于该第一阱部分上。
7.根据权利要求6所述的双极结晶体管，其中该导电层位于该第二阱部分上。
8.根据权利要求5所述的双极结晶体管，其中该集电极位于该第一阱部分中，该射电极与该基电极位于该第二阱部分中。
9.根据权利要求5所述的双极结晶体管，更包括一衬底与一埋藏层，其中该第一阱部分位于该二阱部分与该埋藏层之间，该埋藏层位于该衬底与该第一阱部分之间，该埋藏层具有该第一导电型，该衬底具有该第二导电型。
10.一种双极结晶体管的制造方法，包括：
形成一导电层于一阱区上；以及
形成一射电极、一基电极与一集电极于该阱区中，其中该射电极、该基电极与该集电极通过该阱区互相分开，该导电层位于该基电极与该集电极之间的该阱区上。
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