[发明专利]发光二极管封装的基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述发光二极管封装的基板结构包括：

一第一基板，其具有一芯片金属垫，所述第一基板的顶面上设有一第一接线电路，第一基板的底面上设有一第二接线电路；

一第二基板，其具有一芯片容纳开口，所述第二基板的顶面上设有一第三接线电路，第二基板的底面上设有一第四接线电路；

一粘着剂层，其位于第一基板的顶面和第二基板的底面之间，除了芯片容纳开口之外的位置；以及

一填孔金属层，其覆盖于第二基板的芯片容纳开口的壁上，及覆盖于芯片容纳开口之中的第一基板的芯片金属垫的顶面上。

2.根据权利要求1所述发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述发光二极管封装的基板结构还包括设于芯片金属垫之下的多数个通孔，其中多数个通孔填设有铜。

3.根据权利要求1所述发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述发光二极管封装的基板结构还包括：多数个穿孔，其设于第一基板和第二基板的接线电路间；及一导电金属层，其形成于穿孔的内壁。

4.根据权利要求3所述发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述导电金属层选自由下列所组成的群组构成：铜/镍/金、铜/镍/银、铜/镍/铝及其组合。

5.根据权利要求1所述发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述发光二极管封装的基板结构还包括一光学芯片，其容置于芯片容纳开口中，并粘接填孔金属层和第一基板的芯片金属垫。

6.根据权利要求5所述发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述发光二极管封装的基板结构还包括：一芯片粘接材料，其填充于芯片容纳开口，并介于光学芯片的底部和第一基板的芯片金属垫和填孔金属层的顶部之间，及介于光学芯片的侧壁和芯片容纳开口的墙壁之间。

7.根据权利要求6所述发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述芯片粘接材料的厚度为10微米～30微米。

8.根据权利要求5所述发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述发光二极管封装的基板结构还包括：一焊线或一重分布层，其连接于芯片及第二基板的第三接线电路之间。

9.根据权利要求8所述发光二极管封装的基板结构，其特征在于，所述发光二极管封装的基板结构还包括一镜片，其位于芯片容纳开口之上。

10.一种发光二极管封装的基板结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管封装的基板结构的制造方法包括下列步骤：

准备一第一基板，在所述第一基板的顶部和底部分别设置一第一接线电路和一第二接线电路，并在所述第一基板的顶部设置一芯片金属垫，及在所述芯片金属垫之下设置多数个通孔；

准备一第二基板，在所述第二基板的顶部和底部分别设置一第三接线电路和一第四接线电路；

通过一打孔器或一激光切割所述第二基板，以在所述第二基板上形成一芯片容纳开口；

涂布一粘着剂于所述第一基板和第二基板之间；

在真空状况下，以所述粘着剂粘合第一基板和第二基板；

移除在所述芯片金属垫上的粘着剂层；

钻探所述第一基板和第二基板，以在第一基板和第二基板之间形成一穿孔；

清洗后涂覆一种子金属层于所述基板结构的表面；

使用一光阻，以界定一电镀区域；

通过电镀形成一填孔金属层或一导电金属层于所述穿孔的内壁上；

剥除所述光阻，并蚀刻种子金属层。