[发明专利]含三苯胺有机半导体材料、其制备方法和应用

权利要求书

1.一种含三苯胺有机半导体材料，具有如下结构式Ⅰ：

其中，R为C₁-C₁₂的烷基。

2.如权利要求1所述的含三苯胺有机半导体材料，其特征在于，所述R为C₁-C₆的烷基。

3.一种含三苯胺有机半导体材料制备方法，包括如下步骤：

提供结构式Ⅱ表示的9，9-二(三苯胺基)-2，7-二溴芴

在无水无氧及温度为-78℃～-70℃条件下将锂的烷基衍生物加入至溶解有结构式Ⅱ表示的9，9-二(三苯胺基)-2，7-二溴芴的有机溶剂中，搅拌反应1小时～5小时，加入二苯基氯化磷，将体系温度调整为10℃-30℃，反应3小时～12小时，收集反应产物并提纯，将所述提纯后反应产物溶于有机溶剂中，加入氧化剂，反应1小时～12小时，得到含三苯胺有机半导体材料，反应式表示为：

其中，R为C₁-C₁₂的烷基。

4.如权利要求3所述的含三苯胺有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述R为C₁-C₆的烷基。

5.如权利要求3所述的含三苯胺有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述锂的烷基衍生物选自正丁基锂、异丁基锂、甲基锂或苯基锂。

6.如权利要求3所述的含三苯胺有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述氧化剂选自双氧水、氯酸钾、氯酸钠、次氯酸钠或次氯酸。

7.如权利要求3所述的含三苯胺有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述锂的烷基衍生物和结构式Ⅱ表示的9，9-二(三苯胺基)-2，7-二溴芴摩尔比为2～2.5∶1。

8.如权利要求3所述的含三苯胺有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述锂的烷基衍生物和二苯基氯化磷的摩尔比为1∶1。

9.如权利要求3所述的含三苯胺有机半导体材料制备方法，其特征在于，所述氧化剂与所述提纯后反应产物摩尔比为100～160∶1。

10.如权利要求1或2所述的含三苯胺有机半导体材料在太阳能电池器件、有机场效应晶体管、有机电致发光器件、有机光存储器件、有机非线性材料或有机激光器件中的应用。