[发明专利]一种LED漫反射杯的制备方法无效
| 申请号： | 201110227271.7 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102280537A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 汤自荣;习爽;史铁林;张雷;刘丹 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 漫反射 制备 方法 | ||
1.一种LED漫反射杯的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
第1步在清洗后的硅片上涂覆光刻胶；
第2步对光刻胶进行曝光、显影，得到光刻胶的微槽阵列；
第3步刻蚀硅片形成微槽，得到反射杯体；
第4步去除反射杯体上的光刻胶；
第5步将去除光刻胶的反射杯体加热，高温生长纳米线，形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第5步具体实现步骤为：直接将去除光刻胶的反射杯体放入真空管式炉，抽真空后，通入氮气与氢气的混合气体，升温至纳米线的生长温度1100-1300℃，保温2-8小时，在生长温度下，硅片与氮气发生气-固反应，生成单晶氮化硅纳米线，形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第5步具体实现步骤为：在去除光刻胶的反射杯体上镀一层金属薄膜，膜厚为10nm-100nm。再将其放入真空管式炉，抽真空后，通入氮气或氮气与氢气的混合气体，升温至纳米线的生长温度1000-1200℃，保温1-3小时。在生长温度下，硅片与炉中残留的氧气在金属催化剂的作用下发生反应，生成非晶的二氧化硅(SiO2)纳米线，形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，第5步具体实现步骤为：对去除光刻胶的反射杯体进行喷碳处理，再将其放入真空管式炉，抽真空后，通入氮气与氢气的混合气体，升温至纳米线的生长温度1200-1300℃，保温1-4小时。在生长温度下，硅片、氮气及炉中残留的氧气在碳的作用下生成非晶的硅氧氮纳米线，形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。
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