[发明专利]反应腔室控温装置及应用该控温装置的半导体处理设备

权利要求书

1.一种反应腔室控温装置，用于控制半导体处理设备的反应腔室的温度，其特征在于包括冷却装置，所述冷却装置环绕在所述反应腔室的外围或者在对反应腔室进行降温时移至反应腔室的外围。

2.如权利要求1所述的反应腔室控温装置，其特征在于，还包括与冷却装置相连的位置调整装置，所述位置调整装置可调整所述冷却装置与所述反应腔室之间的相对位置，以便在反应腔室降温时使该冷却装置环绕在所述反应腔室的外围而对反应腔室进行降温。

3.如权利要求1所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却装置包括冷却管和冷却腔中的至少一种。

4.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却管包括多个环绕所述反应腔室的环形管，且所述多个环形管沿反应腔室轴向层叠设置。

5.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却管包括多个沿反应腔室轴向延伸的直管，且所述多个直管沿所述反应腔室周向排列而环绕在所述反应腔室的外围。

6.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却管包括至少一个环绕在所述反应腔室外围并沿所述反应腔室轴向延伸的螺旋管。

7.如权利要求6所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述螺旋管的数量为二个以上，且所述二个以上螺旋管彼此嵌套设置。

8.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却管包括至少一个环绕所述反应腔室并沿所述反应腔室轴向延伸的蛇形管。

9.如权利要求8所述反应腔室控温装置，其特征在于，所述蛇形管的数量为二个以上，且所述二个以上蛇形管彼此嵌套设置。

10.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却管包括二个横截面为半圆形并沿反应腔室轴向延伸的蛇形管，且所述二个蛇形管环绕反应腔室对称设置。

11.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却管包括二个以上横截面为弧形并沿反应腔室轴向延伸的蛇形管，且所述二个以上蛇形管环绕反应腔室设置。

12.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却腔由底壁、顶壁及横截面为圆形并沿反应腔室轴向延伸的第一侧壁和第二侧壁围成，所述第一侧壁围成的中空部分可容纳所述反应腔室。

13.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却腔的数量为二个以上，每个所述冷却腔由底壁、顶壁及横截面为半圆形或弧形并沿反应腔室轴向延伸的第一侧壁和第二侧壁围成，且所述二个以上的冷却腔环绕所述反应腔室设置。

14.如权利要求12或13所述的反应腔室控温装置，其特征在于，还包括冷却管，所述冷却管位于所述冷却腔内，且设置在冷却腔的靠近反应腔室的侧壁上。

15.如权利要求3所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述冷却管和冷却腔的轴向尺寸大于或等于所述反应腔室的轴向尺寸。

16.如权利要求2所述的反应腔室控温装置，其特征在于，所述位置调整装置包括升降装置，用以在所述反应腔室升温过程中使所述冷却装置远离反应腔室，而在所述反应腔室降温过程中使所述冷却装置环绕所述反应腔室。

17.一种半导体处理设备，包括反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室外部设置有如权利要求1-17任意一项所述的控温装置，在所述反应腔室内部设置有托盘装置。

18.如权利要求17所述的半导体处理设备，其特征在于，所述托盘装置包括多个沿反应腔室轴向层叠设置的托盘，并且相邻托盘之间具有一定间距。

19.如权利要求18所述的半导体处理设备，其特征在于，在所述多个层叠设置的托盘中，除最底层的托盘外，在各托盘的背面设置第一凸起部，并在与背面设置有第一凸起部的各托盘相对设置的托盘的正面设置与所述第一凸起部相配合第二凹进部；和/或

在所述多个层叠设置的托盘中，除最底层的托盘外，在各托盘的背面设置第一凹进部，并在与背面设置有第一凹进部的各托盘相对设置的托盘的正面设置与所述第一凹进部相配合第二凸起部；并且

借助于所述第一凸起部和第二凹进部之间的配合和/或所述第二凸起部和第一凹进部之间的配合，而将相邻托盘彼此保持一定间距地叠置在一起。