[发明专利]半导体结构与制作方法无效
| 申请号： | 201110227536.3 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102931315A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良 | 申请（专利权）人： | 叶哲良 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国台湾台中市中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包含有：
一c-plane蓝宝石基板；
一纳米结构形成在该c-plane蓝宝石基板上；以及
一m-plane(10-10)氮化镓磊晶层形成在该c-plane蓝宝石基板的该纳米结构上。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该纳米结构为完全覆盖该c-plane蓝宝石基板的表面。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该纳米结构为一具有n-plane(11-23)表面的锯齿状结构。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该锯齿状结构的间距介于50纳米至350纳米之间。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该m-plane(10-10)氮化镓磊晶层利用一低压金属有机化学气相沉积制程(MOCVD)以形成在该c-plane蓝宝石基板的该纳米结构上。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该c-plane蓝宝石基板具有一结晶面(Crystal Surface)，该结晶面相对于c轴方向具有一介于-5度至+5度的倾斜角。
7.一种半导体结构制作方法，其特征在于，其包含有以下步骤：
(S1)备制一c-plane蓝宝石基板；
(S2)在该c-plane蓝宝石基板上形成一纳米结构；以及
(S3)在该c-plane蓝宝石基板的该纳米结构上形成一m-plane(10-10)氮化镓磊晶层。
8.如权利要求7所述的半导体结构制作方法，其中该纳米结构为完全覆盖该c-plane蓝宝石基板的表面。
9.如权利要求8所述的半导体结构制作方法，其中该纳米结构为一具有n-plane(11-23)表面的锯齿状结构。
10.如权利要求9所述的半导体结构制作方法，其中该锯齿状结构的间距介于50纳米至350纳米之间。
11.如权利要求7所述的半导体结构制作方法，其中该m-plane(10-10)氮化镓磊晶层利用一低压金属有机化学气相沉积制程(MOCVD)以形成在该c-plane蓝宝石基板的该纳米结构上。
12.如权利要求7所述的半导体结构制作方法，其中该c-plane蓝宝石基板具有一结晶面(Crystal Surface)，该结晶面相对于c轴方向具有一介于-5度至+5度的倾斜角。
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