[发明专利]N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法

权利要求书

1.一种太阳能级N型高少子寿命单晶硅片，其特征在于该单晶硅片为：<100>晶向，电阻率范围为1～20Ω·cm、少数载流子寿命＞1000μs，Fe＜5E+13atoms/cm²，Cu＜20E+13atoms/cm2，间隙氧含量为[Oi]≤17.5ppma，替位碳含量为[Cs]≤0.5ppma。

2.按照权利要求1所述的单晶硅片，其特征在于它的外型为6～8英寸。

3.权利要求1所述的N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片的制造方法，其特征在于它包括的步骤：以少子寿命大于1000微秒的N型太阳能硅单晶棒为原料，按下述的具体工艺步骤：方棒机械抛光，方棒化学抛光，多线切割，硅片脱胶，硅片清洗，硅片烘干；具体工艺参数：

机械抛光电流6-10A，工件移动速度10-25mm/min，化学抛光：HF酸与HNO₃质量比例：1∶6，浸泡时间3-6min；脱胶用乳酸溶液浓度：30％-60％，溶液温度50±5℃，反应时间20-40min。

4.一种权利要求1所述的N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片的制造方法，其特征在于它是以少子寿命大于1000微秒的N型太阳能硅单晶棒为原料，具体步骤包括：

1)机械抛光，调整抛光主电流至8-10A，抛光速度20mm/min；调整电流至7-8A抛光速度20mm/min；调整电流至6-7A，速度20mm/min；

2)化学抛光，调整室温至25±3℃，配比氢氟酸与硝酸的质量比为1∶6，混合均匀后将硅棒浸泡3-6分钟；

3)粘棒并使用多线切割机切割；

4)配制浓度30％-60％的乳酸溶液，调整溶液温度至50±5℃，浸泡30分钟；

5)清洗过程中采用9槽清洗机，每槽时间为4分钟，使用电阻率15兆欧姆厘米的纯水。