[发明专利]一种高精度可调芯片电阻的设计方法在审
申请号: | 201110227730.1 | 申请日: | 2011-08-10 |
公开(公告)号: | CN102930067A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 郭林;舒斌 | 申请(专利权)人: | 重庆万道光电科技有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 401120 重庆市渝北*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高精度 可调 芯片 电阻 设计 方法 | ||
1.一种高精度可调芯片电阻的设计方法,其特征在于该设计方法理论上依据的是这样一个数学模型:
R = Ra + Rb
其中,
2.根据权利要求1所述的一种高精度可调芯片电阻的设计方法,其特征在于数学模型中的Ra在工艺设计上应该是生产加工线实际工艺精度的下限值,这样可以在加工工艺结束以后通过Rb的调整获得比较准确的R。
3.根据权利要求1所述的一种高精度可调芯片电阻的设计方法,其特征在于数学模型中的R1在工艺设计上是一个比较小的固定值,这样可以减小对R2阻值的影响,同时R1图形的结构、形状、面积大小应该满足激光修调设备对修调对象在机械定位、修调光斑上的特殊要求。
4.根据权利要求1所述的一种高精度可调芯片电阻的设计方法,其特征在于数学模型中的R2在工艺设计上有特别的考虑;如果需要电阻精度非常高的R,R2应该设计为小于R绝对误差中心值的一半;如果需要电阻值变化范围比较大的R,此时电阻精度变为次要指标,R2可以设计为R值的绝对误差值。
5. 根据权利要求1所述的一种高精度可调芯片电阻的设计方法,其特征在于数学模型中的n在工艺设计中由R的精度或R阻值的变化范围做出选择;一般来讲,R要求的精度越高,R2的设计就越小,这时n的取值越大;R的变化范围要求越大,n的取值也越大。
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