[发明专利]用于磁制冷的稀土-钯-铝材料及其制备方法和用途无效
申请号: | 201110228357.1 | 申请日: | 2011-08-10 |
公开(公告)号: | CN102296222A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 沈保根;许志一;沈俊;吴剑峰;孙继荣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C22C28/00 | 分类号: | C22C28/00;C22C30/00;H01F1/053;C09K5/14 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启;张显光 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制冷 稀土 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于磁制冷的稀土-钯-铝材料及其制备方法和用途。
背景技术
现代社会人类生活越来越离不开制冷技术,从人们的日常生活,到工农业生产、国防科技等都离不开制冷技术。目前普遍采用气体压缩制冷技术实现制冷,但传统气体压缩制冷技术也存在能耗大、制冷过程中排放的有害气体破坏大气臭氧层或引起温室效应等问题。所以,探索既节能又环保的新型制冷技术具有十分重要的意义。与气体压缩制冷技术相比,磁制冷技术具有高效节能、绿色环保、运行稳定等显著优点,是一种理想的节能环保制冷技术。磁制冷是指以磁性材料为制冷工质的一种新型制冷技术,其基本原理是借助于磁性材料在磁场增强、减弱时产生的放热、吸热的物理现象,以达到制冷的目的。
实现磁制冷的关键是要获得性能优异的磁制冷材料,表征磁制冷材料磁热性能的主要参数是磁熵变(ΔS)和制冷能力(RC),材料的ΔS 和RC越大,制冷效率也就越高。磁制冷材料的磁熵变和制冷能力一般在相变温度附近出现最大值,调控相变温度可以得到在不同温区使用的磁制冷材料。由于低温磁制冷技术是氦气、氢气液化的一种重要手段,因而受到国内外研究机构及产业部门的极大关注。找到相变温度在低温区的高性能磁制冷材料已成为获得实用性氦气、氢气液化技术的关键。材料的相变温度越低、ΔS 和RC越大,就越能容易实现液氦及以下温度的制冷。到目前为止,已发现了不少低温磁制冷材料,如稀土Nd、Er或Tm等以及稀土金属间化合物ErNiAl,GdAl2,TbNi5,DyNi5, ErNi5,ErNi2,Gd2PdSi3或DySb等材料,但这些材料能适合用作低温磁制冷工质的还较少。对在深冷温区研究发现的磁制冷材料就更少,尤其是还没有获得相变温度在5 K以下又具有大磁热效应的磁制冷材料,使其商业应用受到一定限制。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有相变温度低、可逆磁熵变大的稀土-钯-铝磁制冷材料,本发明的另一个目的在于提供所述用于磁制冷的稀土-钯-铝材料的制备方法,本发明的再一个目的在于提供所述用于磁制冷的稀土-钯-铝材料的用途。
为实现上述目的,本发明一种用于磁制冷的稀土-钯-铝材料,该材料为具有以下通式的化合物:RPdAl,其中R为稀土元素。
进一步,所述R为Tb、Dy、Ho或Er元素中的任意一种,或者R为Tb元素与Gd、Dy、Ho、Dy元素中任意一种的组合,或者R为Dy元素与Gd、Tb、Ho、Er元素中任意一种的组合,或者R为Ho元素与Gd、Tb、Dy、Er元素中任意一种的组合,或者R为Er元素与Gd、Tb、Dy、Ho元素中任意一种的组合。
进一步,所述材料具有六角ZrNiAl型晶体结构或正交TiNiSi型晶体结构。
一种上述用于制备稀土-钯-铝磁制冷材料的制备方法,其包括以下步骤:
1) 称取原料R、Pd和Al并混合;
2) 将配置好的原料放入电弧炉或感应加热炉中,抽真空,用氩气清洗,之后在氩气保护下熔炼;
3) 将熔炼好的物料真空退火处理,之后取出快速冷却。
进一步,所述原料R、Pd和Al的物质的量之比为RPdAl化学式中的原子比。
进一步,所述R按1~5%的原子比过量添加,更优选地,R按2%的原子比过量添加。
进一步,所述步骤2)中,所述抽真空达到的压力为3×10-3Pa或小于3×10-3Pa,优选为2×10-3~3×10-3Pa;所述熔炼的温度为1200?C以上,优选为1200~1500?C;所述熔炼的时间为0.5~10分钟,优选为2~3分钟。
进一步,所述步骤3)中,所述真空退火的温度为600~1100?C;所述真空退火的时间为1小时~30天,优选为7~10天。
进一步,所述步骤3)中,所述冷却的方法为淬入液氮或水中。
在上述技术方案中,当原料经步骤2)熔炼后,材料已具有六角ZrNiAl型晶体结构的单相化合物,所述步骤3)可以省略。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110228357.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。