[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 201110228561.3 申请日: 2011-08-05
公开(公告)号: CN102437133A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 春日健男;坂田幸治;斋藤猛 申请(专利权)人: NEC东金株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01G9/012
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅;郑菊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请基于通过引用将公开内容全部结合于此的、于2010年8月6日提交的第2010-176888号日本专利申请并且要求对该申请的优先权。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件并且更具体地涉及一种包括与半导体芯片组合的片状固体电解电容器的半导体器件。

背景技术

近年来已经公开了若干在包括LSI的半导体芯片的接地电路与电源电路之间提供电容器以稳定地供应电功率的技术。在半导体封装中包括的并且在与包括LSI的半导体芯片的电路接近的位置布置的旁路电容器实现更短的布线长度、减少的等效串联电感(ESL)并且提供高效和稳定操作的LSI。另外,通过在半导体封装中装配旁路电容器可以减少布置于母板上的元件数目。

例如在公开号为2005-294291的日本待审专利申请中公开了一种包括半导体芯片、固体电解电容器和键合接线的半导体器件。图10示出了如下横截面图,该横截面图示出了有关复杂电子部件的一个例子。半导体器件包括布置和附着到半导体芯片11上的固体电解电容器25。连接半导体芯片11和固体电解电容器25的技术包括连接阳极焊盘21和阴极焊盘22的方法和如下方法,该方法通过键合接线连接通过对形成于绝缘树脂的上表面中的孔进行导体镀制加工以便到达固体电解电容器25的阳极构件来形成的阳极端子(阳极通孔16)的端表面与在基底20的上表面中形成的焊区(阳极焊盘21)。另外尽管上文已经关于阳极部分进行了描述,但是可以通过类似方法连接固体电解电容器的阴极导电层。

根据在公开号为2005-294291的日本待审专利申请中公开的半导体器件,键合接线与固体电解电容器的连接位置是在固体电解电容器的阳极构件与通过对孔进行导体镀制加工来获得的阳极端子之间的连接部分。因此,键合工具在接线键合时引起的重量或者振动可能破坏在紧接于接线键合部分下面的片状固体电解电容器的阳极构件与通过导体镀制来形成的阳极端子之间的连接部分,这可能引起导电故障。因此存在连接可靠性的问题。

发明内容

简言之,本发明的目的在于提供一种可靠性高的半导体器件。

本发明提供用于解决前述问题的手段并且下文将描述其示例配置。

本发明的第一示例方面是一种半导体器件,该半导体器件包括:引线框,包括岛状物、电源引线和GND引线;片状固体电解电容器,装配于岛状物上;半导体芯片,装配于固体电解电容器上,半导体芯片的平面面积小于固体电解电容器的平面面积;连接半导体芯片和固体电解电容器的键合接线;以及连接固体电解电容器和电源引线或者固体电解电容器和GND引线的键合接线,其中半导体器件包括在焊接在固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与阳极部分之间的连接部分和在阳极板与键合接线之间的连接部分,在阳极板与阳极部分之间的连接部分和在阳极板与键合接线之间的连接部分在竖直投影时未重叠。

本发明的第二示例方面是一种半导体器件,该半导体器件包括:引线框,包括岛状物、电源引线和GND引线;片状固体电解电容器,装配于岛状物上;半导体芯片,经过基底装配于固体电解电容器上,半导体芯片的平面面积小于固体电解电容器的平面面积;经过基底连接半导体芯片和固体电解电容器的键合接线;以及经过基底连接固体电解电容器和电源引线或者固体电解电容器和GND引线的键合接线,其中半导体器件包括在焊接在固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与阳极部分之间的连接部分和在基底与键合接线之间的连接部分,在阳极板与阳极部分之间的连接部分和在基底与键合接线之间的连接部分在竖直投影时未重叠。

根据本发明,焊接在固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与阳极部分的连接部分和在阳极板与键合接线之间的连接部分或者在基底与键合接线之间的连接部分在它们竖直投影时布置于不同位置,由此能够防止由于键合工具的重量或者振动所引起的影响而出现连接故障或者导电故障。

根据本发明,当通过接线键合来连接固体电解电容器的阳极部分和半导体芯片时,未紧接于在键合接线与阳极板或者基底之间的连接部分下面提供焊接在固体电解电容器的阳极部分上的阳极板的连接部分,这意味着它们在竖直投影时连接于不同位置。这防止在固体电解电容器的阳极部分与阳极板之间的连接部分损坏(该损坏引起导电故障)并且实现制造可靠性高的半导体器件。

从下文给出的具体描述和仅通过示例给出、因此并不视为限制本发明的附图中将变得更完全理解本发明的上述和其它目的、特征及优点。

附图说明

图1是示出了根据本发明一个示例实施例和第一例子的半导体器件的涂覆树脂的透视平面图;

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