[发明专利]蒸发聚合物喷射沉积系统

权利要求书

1.一种蒸发喷射沉积装置包括：

处理室；

流体线，设置所述流体线以传输聚合物流体和溶剂混合物；以及

喷射头，所述喷射头在所述处理室附近与所述流体线连接，所述喷射头被设置成接收所述聚合物流体和溶剂混合物并且雾化所述聚合物流体和溶剂混合物，从而以基本上蒸发的形式喷出所述聚合物流体和溶剂混合物。

2.根据权利要求1所述的蒸发喷射沉积装置，其中，所述处理室包括底座和围绕着所述底座的侧壁，所述侧壁离开所述底座朝向所述喷射头延伸，

所述处理室设置成支撑半导体晶圆，以及

所述装置设置成在半导体晶圆上提供厚度小于100埃的涂层。

3.根据权利要求1所述的蒸发喷射沉积装置，其中，所述流体线和所述喷射头被另外设置成提供溶剂蒸汽，所述溶剂蒸汽基本上脱离所述聚合物流体；或者

所述喷射头被设置成将所述聚合物流体和溶剂混合物雾化为具有直至大约25微米范围内的液滴尺寸；或者

所述喷射头被设置成雾化所述聚合物流体和溶剂混合物以在大约1埃每秒至大约5埃每秒的速度范围内在喷射头附近的表面上形成涂层。

4.一种光刻胶喷射沉积系统包括：

处理室；

流体线，被设置成传输光刻胶流体；

喷射头，在所述处理室附近与所述流体线连接，被设置成接收所述光刻胶流体并且雾化所述光刻胶流体，从而以基本上蒸发的形式喷出所述光刻胶流体；以及

在处理室中的加热装置，所述加热装置被设置成向用于接收所述光刻胶流体的半导体晶圆提供硬烘烤工艺。

5.根据权利要求4所述的光刻胶喷射沉积系统，其中，所述处理室包括底座和围绕着所述底座的侧壁，所述侧壁从所述底座离开朝向所述喷射头延伸，

所述加热装置被设置成加热所述光刻胶流体至大约100℃至大约200℃的温度范围，以及

所述加热装置被设置成在大约1秒至大约60秒的时间范围内加热所述光刻胶流体。

6.根据权利要求4所述的光刻胶喷射沉积系统，其中，所述流体线和所述喷射头被另外设置成提供溶剂蒸汽，所述溶剂蒸汽基本上脱离所述光刻胶流体；或者

所述喷射头被设置成将所述光刻胶流体雾化为具有直至大约25微米范围内的液滴尺寸；或者

所述喷射头被设置成雾化所述光刻胶流体以在大约1埃每秒至大约5埃每秒的速度范围内在半导体晶圆上形成涂层。

7.一种向半导体晶圆表面涂敷薄膜的方法，所述方法包括：

提供蒸发喷射沉积系统；

提供半导体器件晶圆；

在蒸发喷射沉积系统上的雾化喷射头附近放置所述半导体器件晶圆；以及

朝向所述半导体器件晶圆雾化聚合物/溶剂溶液，由此在所述半导体器件晶圆上沉积所述溶液。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在将所述溶液沉积在所述半导体器件晶圆上之后，对所述半导体器件晶圆进行硬烘烤工艺，

其中，在大约100℃至大约200℃的温度范围内，在大约1秒至大约60秒的时间段内进行硬烘烤工艺。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，沉积在所述半导体器件晶圆上的溶液具有小于大约100埃的厚度，并且所述溶液包括PEMGA、PEMG、环乙醇、EL以及其组合。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在将所述溶液沉积在所述半导体器件晶圆上之后，向所述半导体器件晶圆应用溶剂喷射修整工艺，其中，用于所述工艺的溶剂包括异丙醇、乙醇、丙醇以及其组合；或者

在半导体器件晶圆上以大约1埃/秒至大约5埃/秒的速度沉积所述溶液。