[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种用于制造半导体设备的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在第一半导体衬底中形成第一分离层，并在第二半导体衬底中形成第二分离层；

将所述第一半导体衬底以及所述第二半导体衬底与支撑衬底粘合；

对所述第一分离层上的所述第一半导体衬底进行分离以在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层，并对所述第二分离层上的所述第二半导体衬底进行分离以在所述支撑衬底上形成第二单晶半导体层，其中所述第一单晶半导体层比所述第二单晶半导体层薄；

对所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层进行处理以分别形成多个第一岛状半导体层和多个第二岛状半导体层；

在所述多个第一岛状半导体层上形成第一栅绝缘膜并在所述多个第二岛状半导体层上形成第二栅绝缘膜；

在所述多个第一岛状半导体层和所述多个第二岛状半导体层的每一个上形成栅极；

引入杂质元素以在所述多个第一岛状半导体层和所述多个第二岛状半导体层的每一个中形成多个杂质区域；

形成电连接到所述多个杂质区域的每一个的电极。

2.一种用于制造半导体设备的方法，其特征在于，包括以下步骤：

在第一半导体衬底中形成第一分离层，并在第二半导体衬底中形成第二分离层；

将所述第一半导体衬底以及所述第二半导体衬底与支撑衬底粘合；

对所述第一分离层上的所述第一半导体衬底进行分离以在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层，并对所述第二分离层上的所述第二半导体衬底进行分离以在所述支撑衬底上形成第二单晶半导体层，其中所述第一单晶半导体层比所述第二单晶半导体层薄；

对所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层进行处理以分别形成多个第一岛状半导体层和多个第二岛状半导体层；

对所述多个第一岛状半导体层和所述多个第二岛状半导体层的每个表面进行氧化，以在所述多个第一岛状半导体层上形成第一栅绝缘膜并在所述多个第二岛状半导体层上形成第二栅绝缘膜；

在所述多个第一岛状半导体层和所述多个第二岛状半导体层的每一个上形成栅极；

引入杂质元素以在所述多个第一岛状半导体层和所述多个第二岛状半导体层的每一个中形成多个杂质区域；

形成电连接到所述多个杂质区域的每一个的电极。

3.如权利要求1或2所述的用于制造半导体设备的方法，其特征在于，所述第一分离层和所述第二分离层是通过用氢离子对所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底进行照射形成的。

4.如权利要求1或2所述的用于制造半导体设备的方法，其特征在于，所述多个第一岛状半导体层被用于数据驱动器、逻辑电路、以及只读存储器电路中的至少一个，并且

所述多个第二岛状半导体层被用于扫描驱动器、电源电路、以及以电方式进行写入/改写的存储电路中的至少一个。

5.如权利要求1或2所述的用于制造半导体设备的方法，其特征在于，所述第一栅绝缘膜比所述第二栅绝缘膜薄。