[发明专利]多重密封环结构无效
| 申请号： | 201110229045.2 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102376654A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨敦年;刘人诚;林政贤;王文德;蔡纾婷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多重 密封 结构 | ||
1.一种半导体器件，包括：
基板，具有密封环区域和电路区域；
第一密封环结构，位于所述密封环区域上方；
第二密封环结构，位于所述密封环区域上方并且邻近所述第一密封环结构；和
第一钝化层，位于所述第一密封环结构和所述第二密封环结构上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述第一密封环结构和所述第二密封环结构都由围绕所述电路区域布置的金属层堆叠组成。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述第一密封环结构和所述第二密封环结构都具有线形金属层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二密封环结构与所述第一密封环结构同心。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一密封环结构邻近所述电路区域并且所述第二密封环结构邻近划线。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个所述第一密封环结构和所述第二密封环结构都具有多个线形金属层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一钝化层由氧化硅组成。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二钝化层，位于所述第一密封环结构和所述第二密封环结构的下方。
9.一种半导体器件，包括：
基板，具有密封环区域和电路区域；
第一密封环结构，位于所述密封环区域上方邻近所述电路区域，所述第一密封环结构具有多个线形金属层；
第二密封环结构，位于所述密封环区域上方邻近划线和所述第一密封环结构，所述第二密封环结构具有多个线形金属层；
第三密封环结构，位于所述密封环区域上方并且位于拐角部分的所述第一密封环结构和所述第二密封环结构之间，所述第三密封环结构具有多个三角形的金属层；和
第一钝化层，位于所述第一密封环结构、所述第二密封环结构、和所述第三密封环结构上方。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供具有密封环区域和电路区域的基板；
形成在所述密封环区域上方的第一密封环结构；
形成在所述密封环区域上方并且邻近所述第一密封环结构的第二密封环结构；和
形成在所述第一密封环结构和所述第二密封环结构上方的第一钝化层。
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