[发明专利]取代非晶硅薄膜太阳电池的背反射层金属氧化物无效
| 申请号： | 201110229414.8 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931293A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 郑佳仁;刘幼海;刘吉人 | 申请（专利权）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/052 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201707 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 取代 非晶硅 薄膜 太阳电池 反射层 金属 氧化物 | ||
1.一种可提升非晶硅薄膜太阳能电池效率的新颖背反射层技术，其技术方法包括在透明导电薄膜上依序沉积P型非晶硅薄膜薄膜、本征层非晶硅薄膜、N型微晶硅薄膜以及微晶硅氧薄膜，最后沉积金属导电层薄膜。本发明中的微晶硅氧薄膜则是透过通入硅烷、氢气、磷烷和二氧化碳于等离子增强式化学气相沉积设备，经由气体流量、等离子输出功率、压力等工艺技术来制备，并经由厚度和折射率的匹配来促成非晶硅薄膜的效率提升，尤其是提升红光光谱的吸收，增加了非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流输出。
2.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中透明导电薄膜材料涵盖二氧化锡(SnO2)透明导电膜、氧化锌参杂铝(ZnO:Al)透明导电膜和氧化锌参杂硼(ZnO:B)透明导电膜。
3.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该P型非晶硅薄膜材料涵盖非晶硅含氢(P a-Si:H)、非晶碳化硅含氢(P a-SiC:H)、非晶硅含氦(P a-Si:He)和非晶碳化硅含氦(P a-SiC:He)。
4.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该本征层非晶硅薄膜材料涵盖本征层非晶硅含氢(a-Si:H)和本征层非晶硅含氦(a-Si:He)。
5.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该N型微晶硅薄膜材料为N型微晶硅含氢(N uc-Si:H)。
6.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该微晶硅氧薄膜材料为N型微晶硅氧(N uc-SiOx:H)。
7.根据权利要求1所述的利用微晶硅氧薄膜取代非晶硅薄膜太阳电池的金属氧化物背反射层方法，其中该金属导电层薄膜材料为铝(Al)和银(Ag)薄膜。其中若使用银薄膜则会加上钛(Ti)薄膜的搭配使用，避免氧化物生成于银表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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