[发明专利]一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路在审
| 申请号： | 201110229831.2 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931922A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 郝明丽 | 申请（专利权）人： | 沈阳中科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/08 | 分类号： | H03F1/08;H03F3/195;H03F3/213 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 史旭泰 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳市浑南新区*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 射频 功率放大器 单片 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路，包括射频功率晶体管（102），其特征在于射频功率晶体管（102）的输入端串接有片内平面螺旋电感（101）。
2.根据权利要求1所述一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路，其特征在于所述片内平面螺旋电感（101）一端与射频功率晶体管（102）的输入端相连，另一端与片内输入匹配电路端口相连。
3.根据权利要求1所述一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路，其特征在于所述片内平面螺旋电感（101）一端与射频功率晶体管（102）的输入端相连，另一端分别与第一电容一端、第二电容一端相连，第一电容另一端接地，第二电容另一端为信号输入端。
4.根据权利要求1所述一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路，其特征在于所述片内平面螺旋电感（101）的宽度为8um～12 um。
5.根据权利要求1所述一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路，其特征在于所述片内螺旋电感为方形结构或圆形结构。
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