[发明专利]一种晶圆测试方法有效
申请号: | 201110229844.X | 申请日: | 2011-08-11 |
公开(公告)号: | CN102931114B | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 张礼丽 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 方法 | ||
1.一种晶圆测试方法,其特征在于包括步骤:
1)将晶圆转载到测试机台上,在晶圆表面建立坐标系统;
2)确认第一对位标记;
3)利用该第一对位标记建立第一个晶格;
4)计算上述第一个晶格的坐标,画出晶格分布图;
5)检测晶圆边缘是否有晶格的第一对位标记无法识别,如果检测结果为晶圆边缘所有晶格的第一对位标记都能识别,则完成在晶圆上画晶格分布图的工艺,进行下一步工艺;
当在晶圆的单侧边或相交的双侧边出现第一对位标记无法识别的晶格时,则在所述第一对位标记无法识别的晶格位于晶圆位位置的反方向上进行搜寻第二对位标记;当在晶圆的四个侧边同时出现第一对位标记无法识别的晶格时,则将用来确定新的晶格的三个第二对位标记之间的距离拉大;如果检测结果为晶圆边缘的晶格无法识别所有第一对位标记的,则更换第一对位标记,以第二对位标记重复步骤3)至步骤5);
6)直至晶圆上画晶格分布图的工艺完成后,确定需要测试的晶格的测试点,并利用这些测试点对晶格进行测试。
2.如权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于:所述步骤2)和步骤3)通过如下步骤完成:
2.1)选定第一对位标记的形态,利用光学检测系统在坐标原点附近区域搜寻所述第一对位标记;
3.1)找到第一对位标记后,点选该对位标记,并由后台软件计算第一对位标记与背景之间的明暗对比度数值;
3.2)当上述明暗对比度数值大于一预设参考数值时,则将该第一对位标记设定为第一个晶格的左下点;
3.3)移动光学检测系统,重复上述步骤3.1)至3.2),在所述晶格左下点的上方设定左上点;
3.4)移动光学检测系统,重复上述步骤3.1)至3.2),在所述晶格左上点的右方设定右上点;
3.5)根据上述左下点、左上点及右上点确定第一个晶格的大小及坐标。
3.如权利要求2所述的晶圆测试方法,其特征在于:在所述步骤3.2)中,如果计算出来的明暗对比度数值小于一预设参考值,则旋转晶圆平面,改变光线强弱,以使光学检测系统识别该对位标记。
4.如权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于:在所述步骤5)中,第一对位标记无法识别的情况包括:
晶圆边缘的晶格不完整导致该晶格中的一个或多个第一对位标记无法识别、
晶圆边缘的晶格上有一个或多个第一对位标记中,因出现损害而无法识别,或者是
晶圆边缘的晶格上有一个或多个第一对位标记中,因环境光线较弱而无法识别中的任意一种情况。
5.如权利要求1所述的晶圆测试方法,其特征在于:在所述步骤6)中,对晶格进行的测试为对半导体器件的各层材质的物理结构的测试,或者为对半导体器件的整体电路功能的测试。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造