[发明专利]一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法

权利要求书

1.一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法，包括多晶硅碳头料的破碎处理、喷砂分离碳头料、碳头料分离后处理，其特征在于：

1）、碳头料破碎处理步骤  是指将多晶硅碳头料通过硅料与硅料碰撞方式破碎为粒径为5-10cm的料块，以备喷砂分离碳头料；

2）、喷砂分离碳头料步骤  是指将破碎的碳头料放入喷砂分离装置内通过喷砂分离碳头料的过程，将多晶硅碳头料（2）放入操作箱（1）内；调整工作台及过滤装置（6）的孔径使磨料（4）能够从工作台及过滤装置（6）中通过而碳头料（2）中的石墨（5）不能从工作台及过滤装置（6）中通过；将喷枪（3）对准碳头料（2），调节减压阀门（8）控制气源的压力及流量，压缩空气通过输气管（10）进入喷枪（3），喷枪（3）中的高速气流将输磨料管（11）中的磨料（4）吸入喷枪（3），使喷枪（3）不断高速射出磨料（4）；随着喷枪（3）喷出的高速磨料不断的冲击碳头料（2），石墨（5）被剥离；同时，磨料（4）和石墨（5）落于滤网（6）上，磨料（4）通过工作台及过滤装置（6）滤网回到磨料回收斗（7），石墨（5）通过工作台及过滤装置（6）随磨料（4）落入磨料回收斗（7），即得到去除石墨后的多晶硅；

3）、碳头料分离后处理

将去除石墨后的碳头料（2）经DI水漂洗除去表面磨料（4）后，放置在单槽式超声波清洗机内用DI水超声清洗，超声波频率30KHZ以上，经DI水漂洗和DI水超声清洗处理后的多晶硅放入清洗机内进行化学腐蚀清洗，腐蚀液为浓度69%的硝酸与浓度为49%氢氟酸的混酸，再将清洗后多晶硅料放入烘箱110℃恒温1小时，检验包装即得高纯度多晶硅。

2.如权利要求1所述的一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法，其特征在于所述的喷砂分离装置包括操作箱（1）、喷枪（3）、工作台及过滤装置（6）、磨料回收斗（7）、减压阀门（8）、压缩气体气源（9），所述的操作箱（1）为一方形箱体，磨料回收斗（7）设置在操作箱（1）下方与操作箱（1）焊接连接并连通，工作台及过滤装置（6）设置在磨料回收斗（7）和操作箱（1）连接处；所述的喷枪（3）设置在操作箱（1）内工作台及过滤装置（6）的上方；所述的喷枪（3）后端部通过输气管（10）及减压阀门（8）与气源（9）连接，喷枪（3）后端部输气管（10）下方通过输磨料管（11）与磨料回收斗（7）下端出料口连接；喷枪（3）射出的高速磨料（4）直接作用于碳头料石墨（5）部位将石墨（5）与高纯多晶硅碳头料（2）分离。

3.如权利要求1或2所述的一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法，其特征在于所述的后处理是将去除石墨和石墨纸（5）后的碳头料（2）经DI水漂洗除去表面磨料（4）后，放置在单槽式超声波清洗机内用DI水超声清洗，经DI水漂洗和DI水超声清洗处理后得到的硅料放入多晶硅清洗机内进行化学腐蚀清洗，化学腐蚀液为浓度69%硝酸与浓度49%氢氟酸的混酸，将清洗后硅料放入烘箱110℃恒温处理，检验包装得高纯度多晶硅。