[发明专利]4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺药物，具体涉及4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ及其制备方法。

背景技术

4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺为新一代脑代谢改善药，吡咯烷酮类（环GABOB）衍生物，吡拉西坦类似物，可促进磷酰胆碱和邻酰乙醇胺合成，促进脑代谢，通过血脑屏障对特异性中枢神经通路有刺激作用，改善智力和记忆。对脑血管病、脑损伤、脑瘤（术后）、颅内感染、痴呆、脑变性疾病等具有良好疗效。适用于轻中度血管性痴呆、老年性痴呆以及脑外伤等症引起的记忆与智能障碍。4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺首次由意大利史克比切姆公司于1974年合成，1987年上市，可促进磷酰胆碱和磷酰乙醇胺的合成，促进脑代谢，对记忆尤其是思维的集中比吡拉西坦更好，毒性小。4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺是由两种异构体(S)- 4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺和(R)- 4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺组成的消旋体。其化学名为4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺，化学结构如下：

4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺的合成方法、注射液制剂的制备方法及制品、分散片及其制备方法都已有文献公开报道过。但目前尚无4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型的相关报道。

发明内容

本发明的目的在于提供4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ，其纯度高、药用疗效好。

目前还没有4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型的相关报道，发明人将本专利中的4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型命名为4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ。

本发明的另一目的在于提供上述4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ的制备方法，该制备方法制得的4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ杂质含量低、纯度高。

本发明的目的是通过如下技术措施实现的：

4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ，其特征在于：其在衍射角度2θ为12.011、15.318、17.407、19.633、21.228、22.052、24.577、25.223、27.647、28.161、29.109、30.805、31.276、31.766、32.77、33.477、35.252、35.645、36.236、37.379、39.56、40.489、41.256、41.948、43.443、44.628度处有衍射峰。

4-羟基-2-氧代-1-吡咯烷乙酰胺外消旋体晶型Ⅰ，其特征在于：其具有下列d（?）值和相对强度百分比I（%）值表达的-X射线粉末衍射数据，

d值         I值                  d值        I值

7.3623       3.6                  5.7794      11.6

5.0905       34.7                  4.5179      51.2 

4.1820       100.0                 4.0275      5.8

3.6192       49.1                  3.5278      6.4

3.2238       15.6                  3.1661      13.2

3.0652       10.4                  2.9002      1.3

2.8576       1.4                   2.8146      5.6

2.7306       12.3                  2.6746      5.6

2.5438       5.0                   2.5167      8.4

2.4770       7.9                   2.4038      1.9

2.2762       2.3                   2.2261      3.7

2.1865       1.5                   2.1520      2.6