[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于包括步骤：

1).提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成介质层、栅层、抗反射层和光刻胶层，其中所述抗反射层包括位于栅层上的氮氧化硅层和位于氮氧化硅层上的二氧化硅层；

2).在光刻胶上光刻出一带有半导体器件功能性的微图案；以该光刻胶层为掩模，对抗反射层进行刻蚀，将上述微图案转移到抗反射层上；以上述光刻胶层和抗反射层为掩模，对栅层进行刻蚀，将上述微图案转移到栅层上，在所述半导体衬底和介质层上形成半导体器件功能性的微图案窗口；

3)、干法刻蚀去除所述微图案窗口两侧的光刻胶层，使大部分光刻胶层去除，同时形成自然氧化层和残留有机物的混合层；

4)、第一次湿法刻蚀，包括：

氢氟酸清洗，清洗时间10至15秒，以去除自然氧化层和抗反射层中的部分二氧化硅层；

硫酸、双氧水混合清洗，清洗时间大于10分钟，以清除残留有机物；

5)、第二次湿法刻蚀，包括再次氢氟酸清洗，清洗时间为70至150秒，以清除第一次湿法刻蚀未能完全清除的二氧化硅残留；

磷酸清洗，清洗时间大于10分钟，以清除抗反射层中的氮氧化硅层；

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述氢氟酸兑水的比例为1∶100。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述硫酸、双氧水混合物兑水的比例为1∶10。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述介质层为二氧化硅或氮氧化硅中的一种。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述栅层为多晶硅层。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述步骤2)中，对抗反射层进行刻蚀时，采用干法刻蚀的方法，刻蚀气体为SF₆、CF₄或C₂F₂中的一种

7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述步骤2)中，对栅层进行刻蚀时，采用干法刻蚀的方法，刻蚀气体为Cl₂。