[发明专利]包括多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件有效
| 申请号： | 201110230441.7 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102569398A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 郑现钟;李载泓;李载昊;申炯澈;徐顺爱;李晟熏;许镇盛;梁喜准 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 石墨 沟道 电子器件 | ||
1.一种石墨烯电子器件，具有多个石墨烯沟道层，所述石墨烯电子器件包括：
基板；
形成在所述基板上的栅电极；
第一栅绝缘膜，覆盖所述基板上的所述栅电极；
多个石墨烯沟道层，形成在所述第一栅绝缘膜上，并具有位于所述多个石墨烯沟道层之间的第二栅绝缘膜；和
源电极和漏电极，连接到所述多个石墨烯沟道层的每个的两边缘。
2.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述多个石墨烯沟道层包括在所述第一栅绝缘膜上的第一石墨烯沟道层和在所述第二栅绝缘膜上的第二石墨烯沟道层。
3.如权利要求2所述的石墨烯电子器件，其中所述栅电极嵌入在所述基板中，且所述栅电极的上表面接触所述第一栅绝缘膜。
4.如权利要求2所述的石墨烯电子器件，其中所述基板是作为栅电极的导电基板。
5.如权利要求2所述的石墨烯电子器件，其中所述第二栅绝缘膜具有从大约10nm到大约200nm范围的厚度。
6.如权利要求2所述的石墨烯电子器件，其中所述源电极和所述漏电极形成在所述第一石墨烯沟道层和所述第二石墨烯沟道层上以分别接触所述第一石墨烯沟道层和所述第二石墨烯沟道层的两边缘。
7.如权利要求6所述的石墨烯电子器件，其中所述第一石墨烯沟道层具有大于所述第二石墨烯沟道层的长度。
8.如权利要求1所述的石墨烯电子器件，其中所述第二栅绝缘膜由选自硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物和铝氧化物构成的组的材料形成。
9.一种石墨烯电子器件，具有多个石墨烯沟道层，所述石墨烯电子器件包括：
基板；
多个石墨烯沟道层，形成在所述基板上，并具有位于所述多个石墨烯沟道层之间的第二栅绝缘膜；
源电极和漏电极，连接到所述多个石墨烯沟道层的每个的两边缘；
第一栅绝缘膜，覆盖所述源电极和所述漏电极之间的所述多个石墨烯沟道层；和
栅电极，形成在所述第一栅绝缘膜上。
10.如权利要求9所述的石墨烯电子器件，其中所述多个石墨烯沟道层包括在所述第二栅绝缘膜上的第一石墨烯沟道层和被所述第二栅绝缘膜覆盖的第二石墨烯沟道层。
11.如权利要求10所述的石墨烯电子器件，其中所述第二栅绝缘膜具有在从大约10nm到大约200nm范围的厚度。
12.如权利要求10所述的石墨烯电子器件，其中所述源电极和所述漏电极形成在所述第一石墨烯沟道层和所述第二石墨烯沟道层上以分别接触所述第一石墨烯沟道层和所述第二石墨烯沟道层的两边缘。
13.如权利要求12所述的石墨烯电子器件，其中所述第二石墨烯沟道层具有大于所述第一石墨烯沟道层的长度。
14.如权利要求10所述的石墨烯电子器件，其中所述第二栅绝缘膜由选自硅氧化物、硅氮化物、铪氧化物和铝氧化物构成的组的材料形成。
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