[发明专利]一种MEMS压阻式拉压力芯片及传感器的制作方法无效
| 申请号： | 201110230498.7 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102359836A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 沈唯真;张威 | 申请（专利权）人： | 浙江双友物流器械股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 317699 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式拉 压力 芯片 传感器 制作方法 | ||
1.一种MEMS压阻式拉压力芯片的制作方法，提供一具有N型硅衬底的 晶片，其特征在于，该方法包括：
在晶片的晶片器件面和背面生长氧化层；
晶片器件面的所述氧化层下方的硅衬底中离子注入形成压敏电阻；
所述压敏电阻周围扩散形成p型区；
腐蚀晶片背面的所述氧化层和硅衬底，形成感应膜；
刻蚀位于所述p型区上方的晶片器件面的氧化层形成引线孔后，在引线孔中 溅射金属制成导线，所述导线电连接所述压敏电阻形成惠斯顿电桥；
划片分离出MEMS压阻式拉压力芯片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅衬底为(100)晶面。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压敏电阻按照晶向分为 两组，一组为沿[01-1]晶向或其等效晶向组成晶族的压敏电阻，另一组为沿[011] 晶向或其等效晶向组成晶族的压敏电阻。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的物质是硼离 子或其他第III主族元素的离子，所述离子注入剂量是2E18原子/平方厘米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扩散形成p型区是扩散 硼离子，所述扩散的剂量是5E19原子/平方厘米。
6.一种MEMS压阻式拉压力传感器的制作方法，提供一具有N型硅衬 底的晶片，pcb电路板和长方形结构的金属基底，其特征在于，该方法包括：
在晶片的晶片器件面和背面生长氧化层；
晶片器件面的所述氧化层下方的硅衬底中离子注入形成压敏电阻；
所述压敏电阻周围扩散形成p型区；
腐蚀晶片背面的所述氧化层和硅衬底，形成感应膜；
刻蚀位于所述p型区上方的晶片器件面的氧化层形成引线孔后，在引线孔中 溅射金属制成导线，所述导线电连接所述压敏电阻形成惠斯顿电桥；
划片分离出MEMS压阻式拉压力芯片；
所述金属基底上粘接所述MEMS压阻式拉压力芯片；
将所述pcb电路板粘接到所述金属基底，将MEMS压阻式拉压力芯片的 导线与pcb电路板电连接；
对外露的MEMS压阻式拉压力芯片部分进行灌封防护，将PCB电路板 的导线引出。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅衬底为(100)晶面。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述压敏电阻的个数为四个， 两个所述压敏电阻沿[01-1]晶向或其等效晶向组成晶族平行，另外两个所述压敏 电阻沿[011]晶向或其等效晶向组成晶族平行。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述离子注入的物质是硼离 子或其他第III主族元素的离子，所述离子注入剂量是2E18原子/平方厘米。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述扩散形成p型区是扩 散硼离子，所述扩散的剂量是5E19原子/平方厘米。
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