[发明专利]质子传导无机薄膜、其形成方法及包括其的燃料电池无效
申请号: | 201110230864.9 | 申请日: | 2011-08-12 |
公开(公告)号: | CN102376968A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 许弼源;姜尚均;金泰映;河镇秀 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01M8/10 | 分类号: | H01M8/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 质子 传导 无机 薄膜 形成 方法 包括 燃料电池 | ||
1.质子传导无机薄膜,其包括由下式1表示的无机质子导体:
式1
M11-aM2aPxOy,其中:
M1为硅(Si)或四价金属元素,
M2为选自一价金属元素、二价金属元素和三价金属元素的至少一种金属元素,
0≤a<1,
x为1.5-3.5的数,和
y为5-13的数。
2.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中所述质子传导无机薄膜具有0.05μm-10μm的厚度。
3.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中所述质子传导无机薄膜具有2.7g/cm3或更大的密度。
4.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中所述质子传导无机薄膜具有无定形相。
5.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中具有对于的CuK-αX-射线波长的2θ布拉格角的主峰不出现在其中存在SnP2O7的晶相的区域中。
6.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中具有对于的CuK-αX-射线波长的2θ布拉格角的主峰在15度至40度的范围宽阔地出现。
7.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中,在0.05μm-10μm的厚度下,包括所述质子传导无机薄膜的燃料电池具有在200℃下0.9V或更大的开路电压(OCV),和所述质子传导无机薄膜具有在200℃下0.01Ωcm2-1Ωcm2的面比电阻(ASR)。
8.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中M1为选自锡(Sn)、锆(Zr)、钨(W)、钼(Mo)和钛(Ti)的至少一种金属。
9.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中M2为选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、铟(In)、铝(Al)和锑(Sb)的至少一种金属。
10.权利要求8的质子传导无机薄膜,其中M1为锡(Sn)。
11.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中在式1中,a为0.05-0.5的数。
12.权利要求1的质子传导无机薄膜,其中在式1中,x为2,且y为7。
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