[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，形成于带有绝缘埋层的半导体衬底上，所述衬底自上而下包括顶层半导体层、绝缘层、支撑衬底，其特征在于：所述图像传感器的像素单元电路包括感光结构和像素读出电路，所述感光结构和所述像素读出电路都形成于所述顶层半导体层上、且所述像素读出电路具有间隔的形成于所述感光结构旁侧；

所述感光结构包括横向排列且呈包围式结构的四个掺杂区，各相邻所述掺杂区之间形成接触连接；

各所述掺杂区由内到外依次为第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；所述第一掺杂区和所述第三掺杂区都为第一半导体类型掺杂，所述第二掺杂区和所述第四掺杂区都为第二半导体类型掺杂。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：在横向平面上，所述感光结构的各所述掺杂区的几何形状是规则几何形状、或者不规则几何形状。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于：在横向平面上，所述感光结构的各所述掺杂区的几何形状为长方形、圆形或正多边形。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述感光结构的所述包围式结构为全包围式结构、或者半包围式结构。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述像素读出电路为3T型结构的CMOS像素读出电路、或4T型结构的CMOS像素读出电路。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述像素读出电路和所述感光结构之间设置有浅沟槽隔离结构。

7.如权利要求1-6中任意一项所述的图像传感器，其特征在于：所述第一半导体类型为P型，所述第二半导体类型为N型；所述第二掺杂区为光吸收层，所述第三掺杂区和所述第四掺杂区形成雪崩倍增区。

8.如权利要求1-6中任意一项所述的图像传感器，其特征在于：所述第一半导体类型为N型，所述第二半导体类型为P型，所述第三掺杂区为光吸收层，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成雪崩倍增区。