[发明专利]电容式麦克风的薄膜结构及其的形成方法

权利要求书

1.一种电容式麦克风的薄膜结构，其特征在于，包括：

基底，位于所述基底上的复合多晶硅层，所述复合多晶硅层至少包括一层掺杂多晶硅层及一层与所述掺杂多晶硅层不同层的未掺杂多晶硅层。

2.如权利要求1所述的电容式麦克风的薄膜结构，其特征在于，所述掺杂多晶硅层内的掺杂离子为磷离子或硼离子。

3.如权利要求1所述的电容式麦克风的薄膜结构，其特征在于，所述掺杂多晶硅层内的掺杂离子浓度范围为1.0E17atom/cm³～1.0E19atom/cm³。

4.如权利要求1所述的电容式麦克风的薄膜结构，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的数目为一层或一层以上，所述未掺杂多晶硅层的数目为一层或一层以上，其中掺杂多晶硅层和未掺杂多晶硅层交替设置。

5.如权利要求4所述的电容式麦克风的薄膜结构，其特征在于，所述复合多晶硅层包括位于所述基底上的第一掺杂多晶硅层，位于所述第一掺杂多晶硅层表面的未掺杂多晶硅层，及位于所述未掺杂多晶硅层表面的第二掺杂多晶硅层。

6.如权利要求1所述的电容式麦克风的薄膜结构，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度范围为0.5μm～2.5μm，所述未掺杂多晶硅层的厚度范围为0.3μm～2.0μm。

7.一种电容式麦克风的薄膜结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成复合多晶硅层，所述复合多晶硅层至少包括一层掺杂多晶硅层及与一层与所述掺杂多晶硅层不同层的未掺杂多晶硅层。

8.如权利要求7所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂多晶硅包括：在沉积多晶硅时，同时对所述多晶硅进行离子掺杂，形成掺杂多晶硅层。

9.如权利要求7所述的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂的离子为磷离子或硼离子。

10.如权利要求7所述的电容式麦克风的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的工艺参数为：沉积多晶硅的温度范围为560℃-580℃，掺杂离子浓度范围为1.0E17atom/cm³～1.0E19atom/cm³，沉积时间范围为3小时～5小时。

11.如权利要求7所述的电容式麦克风的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述未掺杂多晶硅层的工艺参数为：沉积温度范围为600℃～650℃，沉积时间范围为1小时～2小时。

12.如权利要求7所述的电容式麦克风的薄膜结构的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂多晶硅层后还包括对所述掺杂多晶硅层进行退火工艺。

13.如权利要求12所述的电容式麦克风的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的参数为：退火温度范围为1050～1150℃，所述退火时间范围为30分钟～60分钟。

14.如权利要求7所述的电容式麦克风的薄膜结构的形成方法，其特征在于，所述形成复合多晶硅层包括：在所述基底上形成第一掺杂多晶硅层；接着在所述第一掺杂多晶硅层表面形成未掺杂多晶硅层；然后在所述未掺杂多晶硅层表面形成第二掺杂多晶硅层。

15.如权利要求14所述的电容式麦克风的薄膜结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掺杂多晶硅层的温度范围为560℃-580℃，时间范围为1～3小时；形成所述未掺杂多晶硅层的温度范围为600℃-650℃，时间范围为1～2小时；形成所述第二掺杂多晶硅层的温度范围为560℃-580℃，时间范围为1～3小时。