[发明专利]透明电极发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110231980.2 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102255028A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 谈健;徐亚兵;岑龙斌 申请(专利权)人: 湘能华磊光电股份有限公司
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明
地址: 423038 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 透明 电极 发光二极管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种透明电极发光二极管,包括氮化镓外延片,其特征在于,所述氮化镓外延片的P型氮化镓层(5)上覆盖有透明导电膜层,所述透明导电膜层为钛/氧化锌或氧化钛/氧化锌复合透明导电膜;

所述钛/氧化锌复合透明导电膜,包括:

钛层(6),覆盖在所述P型氮化镓层(5)上;

氧化锌层(7),覆盖在所述钛层(6)上;

所述氧化钛/氧化锌复合透明导电膜,包括:

氧化钛层(6’),覆盖在所述P型氮化镓层(5)上;

氧化锌层(7),覆盖在所述氧化钛层(6’)上。

2.根据权利要求1所述的透明电极发光二极管,其特征在于,所述钛/氧化锌复合透明导电膜中钛层(6)的厚度为10~40埃;氧化锌层(7)的厚度为1500~3000埃。

3.根据权利要求1所述的透明电极发光二极管,其特征在于,所述氧化钛/氧化锌复合透明导电膜中氧化钛层(6’)的厚度为50~90埃;氧化锌层(7)的厚度为2000~4000埃。

4.根据权利要求1所述的透明电极发光二极管,其特征在于,所述钛层(6)或氧化钛层(6’)上设有多个第一通孔;所述氧化锌层(7)设有多个第二通孔。

5.根据权利要求4所述的透明电极发光二极管,其特征在于,所述第一通孔和所述第二通孔相互交错设置。

6.根据权利要求4或5所述的透明电极发光二极管,其特征在于,所述第一通孔的孔径为0.5微米~3微米;所述第二通孔的孔径为3微米~6微米。

7.一种透明电极发光二极管的制备方法,包括氮化镓外延片的制备,其特征在于,所述氮化镓外延片的制备包括如下步骤:

生长P型氮化镓层(5);

在所述P型氮化镓层(5)上制备钛层(6)或氧化钛层(6’);

在所述钛层(6)或氧化钛层(6’)上制备氧化锌层(7),形成钛/氧化锌或氧化钛/氧化锌复合透明导电膜。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在P型氮化镓层(5)上制备钛层(6)的步骤进一步包括:

在常温,大于10-7托的真空度下,真空蒸镀形成10~40埃的所述钛层(6);形成钛层(6)后,升温至450℃~500℃,在氮气和氧气的体积比为10∶40的气氛下,热处理所述钛层(6)形成表面保护层;

在所述钛层(6)上制备氧化锌层(7)的步骤进一步包括:

将温度调节至250℃~350℃,在氧气流量为3sccm~8sccm,真空度大于10-6托下,真空蒸镀形成1500~3000埃所述氧化锌层(7);

形成所述氧化锌层(7)后,将温度调节至500℃~600℃;在氦气的气氛下,热处理所述氧化锌层(7)形成表面保护层。

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在P型氮化镓层(5)上制备氧化钛层(6’)的步骤进一步包括:

在常温,在氧气流量为2sccm~8sccm,大于10-7托的真空度下,真空蒸镀形成50~90埃所述氧化钛层(6’);

形成氧化钛层(6’)后,升温至450℃~500℃,在氮气和氧气的体积比为10∶40的气氛下,热处理所述氧化钛层(6’)形成表面保护层;

在所述氧化钛层(6’)上制备氧化锌层(7)的步骤进一步包括:

将温度调节至200℃~250℃,在氧气流量为5sccm~10sccm,真空度大于10-6托下,真空蒸镀形成2000~4000埃的所述氧化锌层(7);

形成所述氧化锌层(7)后,将温度调节至600℃~700℃;在氦气的气氛下,热处理所述氧化锌层(7)形成保护表面层。

10.根据权利要求8或9所述的制备方法,其特征在于,进一步包括如下步骤:在所述钛层(6)或氧化钛层(6’)上形成第一通孔;在所述氧化锌层(7)上形成第二通孔,

所述第一通孔是在热处理所述钛层(6)或所述氧化钛层(6’)形成表面保护层后,在酸性环境下湿法腐蚀所述钛层(6)或氧化钛层(6’)而形成的;

所述第二通孔是在热处理氧化锌层(7)形成表面保护层后,在酸性环境下湿法腐蚀所述氧化锌层(7)而形成的。

11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述酸性环境为浓度为36%~38%盐酸和浓度为65~68%的硝酸按照体积比3∶1混合所形成的酸性环境。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司,未经湘能华磊光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110231980.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top