[发明专利]开关电路及显示装置

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种开关电路及显示装置，特别是关于一种降低温度变化对开关的开启时间影响的开关电路。

【背景技术】

在一般的电子装置中，常需要对直流电源设置可切换的开关，以决定供应直流电源的时机。然而，在开关由关闭到开启的瞬间，电流强度会瞬间爆增而产生一涌浪电流(Inrush current)，这样的现象很容易造成电路内部元件的损坏，因此也有些开关电路会针对涌浪电流去设计抑制机制，以保护开关电路内的后级负载与开关(通常为一控制开关晶体管)。

请参阅图1，其为一种具有防止涌浪电流机制的开关电路100的示意图。开关电路100包含有一npn型双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor-BJT)Q1、电阻R1、R2、RC，电容C1、Cout，及P型金氧半晶体管M1。npn型双极结型晶体管Q1通过电阻R1接收一输入讯号源Input，以根据输入讯号源Input来开启或关闭。当npn型双极结型晶体管Q1被开启时，原本被电源PWR1的电力通过电阻RC所拉高的npn型双极结型晶体管Q1的集极电位会被拉低，并进而开启P型金氧半晶体管(MOSFET)M1的电位，使得位于P型金氧半晶体管M1的源极的电源PWR2的电力得以通过P型金氧半晶体管M1而传输至节点Output，而完成开启电源PWR2的程序。

npn型双极结型晶体管Q1的开启时间主要是藉由电阻R1、R2的电阻值以及电容C1的电容值来控制，而P型金氧半晶体管M1的开启时间则是通过npn型双极结型晶体管Q1的开启时间及npn型双极结型晶体管Q1的射极电位来间接的进行控制；藉由通过npn型双极结型晶体管Q1对P型金氧半晶体管M1的开启时间进行间接控制，可以有效的防止涌浪电流的发生。然而，当开关电路100在差异较大的不同温度下运作时，npn型双极结型晶体管Q1的集极电位在高电位与低电位之间的切换所需时间会产生较大的变化而不稳定，并进而间接使得P型金氧半晶体管M1的开启时间也跟着不稳定。这样的不稳定现象极易使得电源开启电路100的开启时序出现错误，并影响到应用电源开启电路100的系统的整体时序，而产生无法预期的运作错误。

请参阅图2，其为图1所示的部分节点的电位与时间关系概略示意图。图2中主要图示有输入讯号源Input的电位曲线、节点Output位于摄氏25度的电位曲线output25℃、节点Output位于摄氏65度的电位曲线output65℃、节点Output位于摄氏-10度的电位曲线output-10℃等曲线。观察图2可知，当输入讯号Input由低电位到高电位需要约10毫秒的时间时，在操作温度为摄氏-10度至摄氏65度的温差区间，代表输出电压的输出节点Output对应切换电位所需的时间约为46毫秒至64毫秒不等；观察图2所示的误差线ER1或ER2可知，上述温差造成的电源开启时间差可达到将近20毫秒，这对于需要精确时序来开启电源的开关电路100来说，是难以忍受的时间差。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种开关电路，其包含：P型金氧半晶体管，其源极耦接于第一电源；第一电阻，其第一端耦接于电源转换单元，且该第一电阻的第二端耦接于该P型金氧半晶体管的栅极；及第一电容，其第一端耦接于该P型金氧半晶体管的栅极，且该第一电容的第二端耦接于该P型金氧半晶体管的源极。

作为可选的技术方案，该电源转换单元用来将一输入讯号源转换为第二电源；其中当该输入讯号源的电位高于一临界电压时，该第二电源的电位为一下限电位，且当该输入讯号源的电位低于该临界电压时，该第二电源的电位为一上限电位。

作为进一步可选的技术方案，该电源转换单元包含：npn型双极结型晶体管，其基极耦接于该输入讯号源，且该npn型双极结型晶体管的集极耦接于该第一电阻的该第一端与第三电源。

作为进一步可选的技术方案，该npn型双极结型晶体管的射极接地。

作为进一步可选的技术方案，该电源转换单元另包含：第二电阻，其第一端耦接于该输入讯号源，且该第二电阻的第二端耦接于该npn型双极结型晶体管的基极。

作为进一步可选的技术方案，该电源转换单元另包含：第二电阻，其第一端耦接于该npn型双极结型晶体管的集极，且该第二电阻的第二端耦接于该第三电源。

作为可选的技术方案，所述的开关电路，其特征在于包含：第二电容，其第一端耦接于该P型金氧半晶体管的漏极。

作为进一步可选的技术方案，该第二电容的第二端接地。