[发明专利]一种高阻抗磁芯烧结工艺

权利要求书

1.一种高阻抗磁芯烧结工艺，其特征在于：本工艺烧结的材质是高磁导率铁氧体，主要成分为60～64mol％的Fe2O3、8～12mol％的Mn3O4、其余的是ZnO；和副成分的为0.04～0.08wt％的CaCO3、0.04～0.08wt％的Bi2O3、0.02～0.06wt％的MoO3和0.01～0.04wt％的Nb2O5；

用原有氮气氛保护窑炉，采用二次还原气氛工艺，使用钟罩炉进行烧结。

2.按照权利要求1所述的一种高阻抗磁芯烧结工艺，其特征在于，其工艺为

①升温阶段：在窑炉的升温阶段，窑炉先按自然状态升温，到1000℃时，保温0.5小时，然后缓慢降低温度至900℃，保温2小时，同时加大氮气进入量，降低烧结区的氧含量至0.05-0.10%；产生二次还原的气氛，使正常烧结的铁氧体在晶粒成长的过程中，在晶界之间产生部分微小的气孔，增加晶界电阻率；

②保温阶段：在窑炉1350℃以上的保温段，升高氧含量，控制在15-20%，以抑制ZnO的挥发，提升电性能；

③降温阶段：在1150℃时，快速降温；

从1150℃降至900℃以下，降速为3小时，同时匹配相应氧含量为，1150℃时0.25-0. 4%，1100℃时0. 1-0.25%，1050℃时0.05-0.1%，1000℃以下时均小于0.03%。